Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "73.90.+f" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Role of Arsenic Antisite Defect in Nonstoichiometric Gallium Arsenide
Autorzy:
Jasiński, J.
Kurpiewski, A.
Korοna, K.
Kamińska, M.
Ρalczewska, M.
Krotkus, A.
Marcinkievicius, S.
Liliental-Weber, Z.
Tan, H. H.
Jagadish, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933772.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Er
73.90.+f
Opis:
Over the last few years there have been many studies of GaAs layers grown at low temperatures (180-300°C), so called LT GaAs. The interest in LT GaAs was motivated by the potential application of 600oC annealed LT GaAs in microwave and fast optoelectronic devices because of its short photocarrier lifetime, reasonable mobility and high resistivity. These properties are associated with the nonstoichiometry of LT GaAs. Recently, studies of comparable material, nonstoichiometric GaAs produced by arsenic ion implantation have been initiated. There is still a strong controversy as to whether the arsenic antisite (As$\text{}_{Ga}$) or arsenic precipitates are responsible for unique electrical properties of both materials. This paper presents the results of structural and electrical studies of high energy As implanted GaAs and comments on relationships between the structure and the resulting electrical properties.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 747-750
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrical and Optical Properties of Highly Non-stoichiometric GaAs
Autorzy:
Kurpiewski, A.
Korona, K.
Kamińska, M.
Palczewska, M.
Jagadish, C.
Williams, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1876991.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.90.+f
78.30.Er
Opis:
The studies of transport and optical properties of GaAs implanted with high arsenic doses were performed. As-implanted samples showed hopping conductivity and the exponential absorption tail in the near-IR region. Both effects were probably caused by the amorphization of implanted layer. Using EPR measurements it was found that arsenic antisite defect with high local strain field was created during implantation. Annealing of implanted layers at 600°C led to substantial removal of amorphization, decrease in absorption coefficient and hopping conductivity leading to resistive samples. The possible model of such behaviour may be similar to the one of suggested for low temperature GaAs layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 518-522
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies