Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Symulacja Monte Carlo" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Modification of Bragg-Williams approximation applied in Jacksons model of crystal growth
Modyfikacja przybliżenia Bragga-Williamsa w modelu Jacksona wzrostu kryształów
Autorzy:
Izdebski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296467.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
przybliżenie Bragga-Williamsa
model wzrostu kryształów Jacksona
symulacja Monte Carlo
Bragg-Williams approximation
Jackson's model of crystal growth
Monte Carlo simulations
Opis:
Results of Monte Carlo simulations for single-layer solid-fluid interface were compared with Bragg-Williams approximation, which describes the number of bonds between solid and fluid cells in Jackson's crystal growth model. The comparison shows that Bragg-Williams approximation produces much higher values than those resulting from simulations. The use of better approximations based on the results of the simulation does not lead directly to improvement of predictions given by Jackson's model, but rather reveals further problems. In particular, the estimation of entropy seems to be also very overvalued. Monte Carlo simulations were used also to investigate the number of stable states of a single boundary layer for various crystal growth conditions. The results obtained differ significantly from those resulting from the analysis of free energy minima in Jackson's model, but are in good agreement with the results of multi-layer simulations.
Wyniki symulacji Monte Carlo dla jednowarstwowej granicy faz porównano z przybliżeniem Bragga-Williamsa, które w modelu Jacksona wzrostu kryształów opisuje liczbę wiązań między blokami stałymi i ciekłymi. Porównanie to pokazało, ze przybliżenie Bragga-Williamsa daje znacznie większe wartości od tych otrzymanych na podstawie symulacji. Zastosowanie lepszego przybliżenia opartego na wynikach symulacji nie prowadzi wprost do poprawy przewidywań modelu Jacksona, lecz raczej ujawnia kolejne problemy. W szczególności oszacowanie entropii wydaje się także bardzo zawyżone. Symulacje Monte Carlo zastosowano także do zbadania liczby stanów stabilnych pojedynczej warstwy granicznej w zależności od warunków wzrostu kryształu. Uzyskane wyniki różnią się znacznie od tych wynikających z analizy liczby minimów energii swobodnej w modelu Jacksona, natomiast pozostają w dobrej zgodności z wynikami symulacji wielowarstwowych.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 25-36
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Verification of one-dimensional models describing anisotropy of step growth
Weryfikacja jednowymiarowych modeli opisujących anizotropię stopnia wzrostu
Autorzy:
Izdebski, M.
Ledzion, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/296538.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:
step growth
Burton Cabrera Frank theory
Monte Carlo simulation of crystal growth
stopień wzrostu
teoria Burtona Cabrery Franka
symulacja Monte Carlo
wzrost kryształów
Opis:
Models that allow to obtain directional dependencies of normal velocity of a straight step on the (001) face of Kossel crystal and its edge free energy are reviewed. The dependencies were considered in a wide range of crystal growth conditions, which showed some significant discrepancies between the models and limitations in the scope of their applicability. The results presented concern on one-dimensional kinetic and thermodynamic models of a single step.
Dokonano przeglądu modeli znanych z literatury, które umożliwiają otrzymanie kierunkowych zależności prędkości normalnej prostoliniowego stopnia wzrostu na ścianie (001) kryształu Kossela oraz jego krawędziowej energii swobodnej. Zależności zostały rozważone w szerokim zakresie warunków wzrostu kryształu, co umożliwiło ukazanie niezgodności pomiędzy modelami oraz ograniczeń w zakresie ich stosowalności. Przedstawione wyniki koncentrują się na jednowymiarowych kinetycznych i termodynamicznych modelach pojedynczego stopnia wzrostu.
Źródło:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2017, 38; 11-26
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies