Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Yu, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968103.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.47.+p
Opis:
In this work we evaluate optical properties of cubic phase GaN epilayers grown on top of (001) silicon substrate prepared by a new process. Prior to the growth Si substrate was annealed at 1300-1400°C in propane. The so-prepared substrate is covered with a thin (≈ 4 nm) SiC wafer, which allowed a successful growth of good morphological quality cubic phase GaN epilayers. The present results confirm recent suggestion on smaller ionization energies of acceptors in cubic phase GaN epilayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of Exciton Properties in Quantum Well Structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Leonardi, K.
Behringer, M.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969074.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
73.20.Mf
73.20.Dx
Opis:
Properties of excitons in quantum well structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe are compared. In ternary ZnCdSe quantum wells and at low temperature excitons are strongly localised. Weaker localization is observed in quantum well structures of ZnSe/ZnMgSSe. Present studies suggest formation of negatively charged excitons in the latter structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 313-316
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microwave-Induced Delocalization of Excitons in Ternary Compounds of II-VI and III-V Semiconductors
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khachapuridze, A.
Yatsunenko, S.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Shamirzaev, T.
Zhuravlev, K.
Leonardi, K.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035757.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Ji
72.25.Rb
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
In this work we employ technique of optically detected cyclotron resonance for evaluation of the role of localization processes in CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures. From microwave-induced changes of excitonic emissions we evaluate magnitude of potential fluctuations (Stokes shift), correlate optically detected cyclotron resonance results with the results of time-resolved experiments and discuss nature of recombination processes in the limit of a strong localization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 559-566
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies