Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ivanov, N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Cobalt Additives Influence on Phase Composition and Defect Structure of Manganese Dioxide Prepared from Fluorine Containing Electrolytes
Autorzy:
Sokolsky, G.
Ivanov, S.
Ivanova, N.
Boldurev, Ye.
Kobulinskaya, O.
Demchenko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1550089.pdf
Data publikacji:
2010-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.66.Fn
61.72.-y
85.40.Ry
Opis:
Manganese dioxide samples were prepared from fluorine containing electrolytes with additives of $Co^{2+}$ ions. Atomic absorption spectroscopy, thermogravimetric analysis, X-ray diffraction, scanning electron microscopy with energy dispersive X-ray analysis were the methods of the samples characterisation. Manganese dioxide at the presence of cobalt forms nanosized ramsdellite structure crystallites of mostly needle-like morphology with significant content of hydroxide groups. The main phase state in manganese dioxide samples obtained at the presence of cobalt is $γ-MnO_{2}$ with ramsdellite structure and low content of intergrowth defects. The sample doped both with lithium and cobalt can be indexed to a hollandite-type structure (tetragonal; space group I4/m) of $α-MnO_{2}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2010, 117, 1; 86-90
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effective Green Semiconductor Lasers with Multiple CdSe/ZnSe QD Active Region for Electron Beam Pumping
Autorzy:
Gronin, S.
Sorokin, S.
Sedova, I.
Kop'ev, P.
Ivanov, S.
Zverev, M.
Gamov, N.
Peregoudov, D.
Studionov, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811929.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Et
78.67.Hc
Opis:
The characteristics of ZnSe-based electron beam pumped semiconductor lasers are presented in detail. The laser structures consist of a 0.6 μm thick superlattice waveguide centered with ten equidistantly placed CdSe/ZnSe quantum dot active layers. The maximum light output pulse power of 12 W per facet at room temperature along with an extremely high quantum efficiency of ≈8.5% were obtained at an electron beam pumping energy of 23 keV (the laser wavelength is of 542 nm). The calculations of a spatial distribution of non-equilibrium carrier concentration within the semiconductor structures under electron beam pumping are presented. The possible ways of further improvement of laser efficiency are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1115-1122
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Studies of Thermally Activated Vertical Hole Transport in ZnCdSe/ZnSSe Superlattice
Autorzy:
Lebedev, A.
Sorokin, S.
Toropov, A.
Shubina, T.
Il'inskaya, N.
Nekrutkina, O.
Ivanov, S.
Pozina, G.
Bergman, P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991641.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Hf
78.45.+h
71.35.-y
78.47.+p
72.80.Ey
Opis:
Miniband transport in alternatively-strained ZnCdSe/ZnSSe short period superlattices is investigated using a structure with an enlarged quantum well. Temperature dependences of time-resolved and continuous wave photoluminescence have been measured, demonstrating an efficient temperature-induced vertical hole transport. A quantitative description is given for the carrier kinetics in these structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 421-426
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies