- Tytuł:
- Ohmic Contacts To GaN by Solid-Phase Regrowth
- Autorzy:
-
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Ilka, L.
Guziewicz, M.
Kasjaniuk, S.
Dynowska, E.
Kwiatkowski, S.
Bremser, M. D.
Davis, R. F. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1968123.pdf
- Data publikacji:
- 1997-10
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
73.40.Ns
73.40.Cg - Opis:
- Ni/Si-based contact schemes based on the solid-phase regrowth process have been developed to form low-resistance ohmic contacts to GaN with a minimum contact resistivity of 1×10$\text{}^{-3}$ Ωcm$\text{}^{2}$ and ≈1×10$\text{}^{-2}$ Ωcm$\text{}^{2}$ to GaN:Si (n ≈ 2×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$) and GaN:Mg (p ≈ 3×10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$). The solid-phase regrowth process responsible for the ohmic contact formation was studied using X-ray diffraction, secondary ion mass spectrometry and Rutherford backscattering spectrometry.
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 819-823
0587-4246
1898-794X - Pojawia się w:
- Acta Physica Polonica A
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł