Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "TCAD" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices
Autorzy:
Malinowski, A.
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Sekine, M.
Hori, M.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308253.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
FinFET
line edge roughness
parameter variability
plasma etching
technology computer aided design (TCAD)
Opis:
Extensive numerical simulations of FinFET structures have been carried out using commercial TCAD tools. A series of plasma etching steps has been simulated for different process conditions in order to evaluate the influence of plasma pressure, composition and powering on the FinFET topography. Next, the most important geometric parameters of the FinFETs have been varied and the electrical characteristics have been calculated in order to evaluate the sensitivity of the FinFET electrical parameters on possible FinFET structure variability.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2009, 4; 45-50
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies