- Tytuł:
- Optically Active Centers in Er-Implanted Silicon
- Autorzy:
-
Przybylińska, H.
Jantsch, W.
Hendorfer, G.
Palmetshofer, L.
Wilson, R. J.
Sealy, B. J. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1933961.pdf
- Data publikacji:
- 1995-11
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
- 78.55.Hx
- Opis:
- We show that of all the optically active Er centers in silicon found after ion implantation and optimum annealing (900°C) the isolated cubic interstitial Er is the dominant PL center above 100 K. At lower anneal temperatures ( ≈ 600°C) with later rapid thermal anneal at 900°C oxygen related centers also emit.
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 877-880
0587-4246
1898-794X - Pojawia się w:
- Acta Physica Polonica A
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł