Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "DF" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-6 z 6
    Tytuł:
    Numerical Results of Modeling Semiconductor Sensor Layers in SAW Gas Sensors
    Autorzy:
    Hejczyk, T.
    Urbańczyk, M.
    Jakubik, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506793.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.65.Dq
    68.35.Iv
    07.07.Df
    Opis:
    The paper presents the numerical results of investigations of the layered gas surface acoustic waves sensor. The base electric load of the piezoelectric acoustic line is predicted by the effect of surface acoustic waves velocity changes vs. surface conductivity, which depends on the profile concentration by gas diffused molecules into the porous film. Inside the sensor layer Knudsen's model of gas diffusion was used.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1158-1160
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analytical Model of Semiconductor Sensor Layers in SAW Gas Sensors
    Autorzy:
    Hejczyk, T.
    Urbańczyk, M.
    Jakubik, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506790.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.65.Dq
    68.35.Iv
    07.07.Df
    Opis:
    In the paper a new theoretical model for analyzing a surface acoustic wave gas sensor is presented. Basing on the electric load of the piezoelectric acoustic line the effect of surface acoustic wave velocity changes vs. surface conductivity is predicted which depends on the profile concentration of gas molecules diffused into the porous film. Inside the sensor layer Knudsen's model of gas diffusion was used.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1148-1152
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Semiconductor Sensor Layer in SAW Gas Sensors Configuration
    Autorzy:
    Hejczyk, T.
    Urbańczyk, M.
    Jakubik, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1506792.pdf
    Data publikacji:
    2010-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    77.65.Dq
    68.35.Iv
    07.07.Df
    Opis:
    A Rayleigh acoustic wave travelling on the surface of a semi-infinite piezoelectric medium may be changed by interaction with carriers and diffused gas in an adjacent semiconductor. The configuration, which uses a thin semiconductor film supported by a catalytic layer (Pd), is described in detail and the theoretical results of gas-sensor layer interaction are presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2010, 118, 6; 1153-1157
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Numerical Optimization of Structures SAW Gas Sensors
    Autorzy:
    Hejczyk, T.
    Urbańczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399352.pdf
    Data publikacji:
    2013-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    43.25.Fe
    77.65.Dq
    68.35.Iv
    07.07.Df
    Opis:
    This paper presents the results of the analysis of surface acoustic waves sensor equivalent model. They were the sensor response of the surface acoustic waves sensor in the steady state gas: $H_2$, $CO_2$, $NO_2$, $NH_3$, $C_nH_m$, $CO$. Thin layer of $WO_3$ has been used as a sensor layer. Impedance replacement of sensor layer, taking into account the profile of the concentration of gas molecules in the layer, has been implemented into the equation of Ingebrigtsen, which enabled us to obtain analytical expressions for the relative changes in surface wave velocity in the steady state. The results of the analysis show that there is an optimum thickness of layer sensor for which an acoustoelectric effect (change in the acoustic wave velocity) is the highest.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 3; 432-435
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    $WO_3-Pd$ Structure in SAW Sensor for Hydrogen Detection
    Autorzy:
    Hejczyk, T.
    Urbańczyk, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1493196.pdf
    Data publikacji:
    2011-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    43.25.Fe
    77.65.Dq
    68.35.Iv
    07.07.Df
    Opis:
    In the paper a new sensor structure for surface acoustic wave gas system is presented. A bilayer structure $WO_3-Pd$ thin films may be useful for hydrogen detection in low concentration in air. A bilayer sensor structure of tungsten oxide $WO_3$ with a very thin catalytic film of palladium on the top has been studied for gas-sensing application at room temperature (about 25°C) in surface acoustic wave system. The bilayer structure of $WO_3$ layers with a thickness of about 50 nm, 100 nm and 150 nm was made onto a $LiNbO_3$ Y-cut Z-propagating substrate by means of the vacuum sublimation method using a special aluminum mask. The vapor source consisted of commercially available $WO_3$ powder (Fluka 99.9%) and molybdenum heater. The thin palladium (Pd) layer (about 10 nm) was made separately on each $WO_3$ layer by means of vapor deposition in high vacuum. There have been investigated three structures: 50 nm $WO_3$ + 10 nm Pd, 100 nm $WO_3$ + 10 nm Pd and 150 nm $WO_3$ + 10 nm Pd in three canal surface acoustic wave system with reference oscillator. Numerical results obtained by analysis of the surface acoustic wave gas sensor model have been compared with experimental results.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 4; 616-620
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of Non-Steady Stage in SAW Gas Sensors with Semiconducting Sensor Layers
    Autorzy:
    Urbańczyk, M.
    Hejczyk, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1493326.pdf
    Data publikacji:
    2011-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    07.07.Df
    43.25.Fe
    68.35.Iv
    77.65.Dq
    Opis:
    The profile of the gas concentration in the sensor layer can be expressed as a polynomial function involving the diffusion coefficient $(D_{K})$, semiconductor film thickness (h), rate constant (k), gas concentration outside the semiconductor film $(C_{S})$. Before reaching a steady state of the concentration profile, its behavior depends on a few factors as the distance from the piezoelectric surface, the rate constant, the thickness of the layer and the diffusion constant and time. We are going to simulate temporary processes in the semiconductor sensor film in the surface acoustic wave gas sensor system and to describe the influence on relative changes of the surface acoustic wave velocity. The numerical results basing on the code written in Pyton, are described and analyzed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 4; 789-793
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-6 z 6

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies