Temat: 61.70.-R - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Hydrostatic Pressure Effect on Oxygen Precipitates in Silicon Single Crystal
Autorzy:: Misiuk, A.
Adamczewska, J.
Bąk-Misiuk, J.
Härtwig, J.
Morawski, A.
Witczak, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1890764.pdf
Data publikacji:: 1991-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.70.At
61.70.-r
81.40.-z
Opis:: The effect of hydrostatic pressure on some properties of Cz-Si with oxygen precipitates is investigated. The observed phenomena are discussed in terms of misfit between the precipitates and Si matrix.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 317-320
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of Preannealing on Perfection of Czochralski Grown Silicon Crystals Subjected to High Pressure Treatment
Autorzy:: Datsenko, L. I.
Misiuk, A.
Härtwig, J.
Briginets, A.
Khrupa, V. I.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1931660.pdf
Data publikacji:: 1994-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.40.-z
61.70.-r
Opis:: The effect of high temperature (up to 1120°C)-high pressure (up to 1.1 GPa) treatment on the resulting defect structure of preannealed (450-725°C, up to 96 hours) Czochralski grown Si crystals was studied by X-ray diffraction. The values of the Debye-Waller static factor and of the root-mean-square atomic displacement due to defects were determined for various Lane reflections. Well-defined development of the cluster like defect structure after high temperature pressurization depending to a substantial extent on the preannealing conditions was observed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 585-590
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja