Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Gołaszewska, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Piotrowski, T. T.
    Piskorski, M.
    Guziewicz, M.
    Papis, E.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Kasjuniuk, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952070.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    81.05.Ea
    81.40.-z
    Opis:
    A study is made of surface preparation, metallization, patterning and dielectric deposition with the aim of developing process technology for GaSb-based photonic devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 903-906
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
    Autorzy:
    Taube, A.
    Guziewicz, M.
    Kosiel, K.
    Gołaszewska-Malec, K.
    Król, K.
    Kruszka, R.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/953063.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    aluminum oxide
    MOS
    silicon carbide
    4H-SiC
    high-K dielectrics
    tlenek glinu
    węglik krzemu
    dielektryki high-k
    Opis:
    The paper presents the results of characterization of MOS structures with aluminum oxide layer deposited by ALD method on silicon carbide substrates. The effect of the application of thin SiO2 buffer layer on the electrical properties of the MOS structures with Al2O3 layer has been examined. Critical electric field values at the level of 7.5–8 MV/cm were obtained. The use of 5 nm thick SiO2 buffer layer caused a decrease in the leakage current of the gate by more than two decade of magnitude. Evaluated density of trap states near the conduction band of silicon carbide in Al2O3/4H-SiC MOS is about of 1×1013 eV−1cm−2. In contrast, the density of the trap states in the Al2O3/SiO2/4H-SiC structure is lower about of one decade of magnitude i.e. 1×1012 eV−1cm−2. A remarkable change in the MOS structure is also a decrease of density of electron traps located deeply in the 4H-SiC conduction band below detection limit due to using of the SiO2 buffer layer.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 537-551
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Technology of Ultrathin NbN and NbTiN Films for Superconducting Photodetectors
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Slysz, W.
    Borysiewicz, M.
    Kruszka, R.
    Sidor, Z.
    Juchniewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Domagala, J.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Wegrzecki, M.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492719.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We report fabrication and characterization of ultrathin NbN and NbTiN films designed for superconducting photodetectors. Our NbN and NbTiN films were deposited on $Al_2O_3$ and Si single-crystal wafers by a high-temperature, reactive magnetron sputtering method and, subsequently, annealed at 1000°C. The best, 18 nm thick NbN films deposited on sapphire exhibited the critical temperature of 15.0 K and the critical current density as high as ≈ 8 × $10^6$ A/$cm^2$ at 4.8 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-076-A-079
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Capability of Semiconducting NiO Films in Gamma Radiation Dosimetry
    Autorzy:
    Guziewicz, M.
    Jung, W.
    Grochowski, J.
    Borysiewicz, M.
    Golaszewska, K.
    Kruszka, R.
    Baranska, A.
    Piotrowska, A.
    Witkowski, B.
    Domagala, J.
    Gryzinski, M.
    Tyminska, K.
    Stonert, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492706.pdf
    Data publikacji:
    2011-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Jc
    29.40.-n
    87.53.Bn
    Opis:
    Electrical properties of RF magnetron sputtered p-NiO films were characterized after fabrication and after gamma irradiations using $\text{}^{137}Cs$ and $\text{}^{60}Co$ sources. Electrical parameters are obtained from the Hall measurements, impedance spectroscopy and C-V measurement of n-Si/p-NiO junction diodes. The results show that resistivity of the NiO film is gradually increased following after sequential irradiation processes because of the decrease in holes' concentration. Hole concentration of a NiO film decreases from the original value of $4.36 \times 10^{16} cm^{-3}$ to $2.86 \times 10^{16} cm^{-3}$ after $\text{}^{137}Cs γ$ irradiation with doses of 10 Gy. In the case of γ irradiation from $\text{}^{60}Co$ source, hole concentration of the film decreases from $6.3 \times 10^{16}//cm^3$ to $4.1 \times 10^{16}//cm^3$ and to $2.9 \times 10^{16}//cm^3$ after successive expositions with a dose of 20 Gy.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-069-A-072
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies