Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Johnson, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    Contribution of Mn 3d Electrons To the Valence Band of Sn$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$te
    Autorzy:
    Nadolny, A. J.
    Guziewicz, E.
    Kowalski, B. J.
    Orłowski, B. A.
    Johnson, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992049.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.-i
    71.20.Nr
    Opis:
    The synchrotron radiation in the energy range between 15 and 70 eV was used to investigate the electronic structure of the crystalline Sn$\text{}_{0.9}$Mn$\text{}_{0.1}$Te by means of the resonant photoemission spectroscopy. Fano-type resonance has been observed in the obtained constant initial energy curves with the resonant energy 50.6 eV and antiresonant energy 49.0 eV. The energy distribution curves taken at photon energies close to the Mn 3p-3d transitions allow us to conclude that Mn atoms contribute to the valence band mainly at energies of 4.0 eV and 7.8 eV below the valence band edge.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 454-458
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cd_{1-x}Fe_{x}Te Ternary Crystal Formation Studied by Resonant Photoemission
    Autorzy:
    Guziewicz, E.
    Kowalski, B. J.
    Gołacki, Z.
    Orłowski, B. A.
    Johnson, R. L.
    Masek, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968113.pdf
    Data publikacji:
    1997-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.Fx
    79.60.-i
    Opis:
    A resonant photoemission was used to study the ternary crystal formation, when small amount of Fe atoms was deposited (in one monolayer range of thickness) on the clean CdTe(100) surface. The constant initial state spectra taken near the Fe 3p-3d transition after Fe deposition and then again after heating process show the existence of two Fano-like resonance. The differences of the energy distribution curves taken for both resonance and antiresonance, respectively, allow us to distinguish two kind of Fe 3d contributions to the valence band: one derived from the metallic Fe islands on the surface and the second - derived from the Fe atoms built into the Cd$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Te crystal.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 793-796
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    4f Shell of Gd$\text{}^{2+}$ and Gd$\text{}^{3+}$ Ions in Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te - Resonant Photoemission Study
    Autorzy:
    Kowalski, B. J.
    Gołacki, Z.
    Guziewicz, E.
    Orłowski, B.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968282.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.-b
    79.60.-i
    Opis:
    Resonant photoemission spectra of Sn$\text{}_{1-x}$Gd$\text{}_{x}$Te (x=0.02 and 0.08) measured for the photon energy range 142 to 151 eV show the valence band density of states distribution and the Gd 4f derived maximum. The energy position of the J=0 component of the Gd 4f maximum was determined and used as a measure of the Gd 4f shell binding energy. The electrostatic model of core level shifts was used to interpret the difference in the Gd 4f binding energies observed for x=0.02 and x=0.08.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 875-878
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    4f Contribution to Valence Band of Pb$\text{}_{1-x}$RE$\text{}_{x}$S (RE = Eu,Gd) Studied by Resonant Photoemission
    Autorzy:
    Kowalski, B. J.
    Gołacki, Z.
    Guziewicz, E.
    Orłowski, B. A.
    Ghijsen, J.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952558.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.25.Tn
    79.60.-i
    Opis:
    Resonant photoemission experiments were carried out in order to reveal the contributions of partly filled Eu 4f$\text{}^{7}$ and Gd 4f$\text{}^{7}$ shells to the valence bands of Pb$\text{}_{0.95}$Eu$\text{}_{0.05}$S and Pb$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$S crystals. The coupling between these orbitals and the host electronic states is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1035-1039
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonant Photoemission Study of Gd 4f States in IV-VI Crystals
    Autorzy:
    Kowalski, B. J.
    Gołacki, Z.
    Guziewicz, E.
    Orłowski, B. A.
    Ghijsen, J.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1963391.pdf
    Data publikacji:
    1997-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    79.60.-i
    Opis:
    Resonant photoemission experiments were performed in order to reveal the contributions of half-filled Gd 4f$\text{}^{7}$ shell to the electronic structures of Sn$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$Te and Pb$\text{}_{0.95}$Gd$\text{}_{0.05}$S crystals. The influences of the Gd 4f$\text{}^{6}$ final-state multiplet splitting and f-ligand hybridization on the shapes of the spectra are discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 819-823
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Valence Band Density of States and Mn 3d Contribution in Mn$\text{}_{1-x}$Mg$\text{}_{x}$Te
    Autorzy:
    Kowalski, B. J.
    Guziewicz, E.
    Kopalko, K.
    Orłowski, B. A.
    Janik, E.
    Wojtowicz, T.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991616.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.20.Nr
    79.60.-i
    Opis:
    Resonant photoemission spectroscopy was applied to determine the Mn 3d derived contribution to the valence band density of states of Mn$\text{}_{0.44}$ Mg$\text{}_{0.56}$Te grown by molecular beam epitaxy on a GaAs(001) substrate. The modifications of the valence band density-of-states distribution are discussed as a consequence of the substitution of Mg ions for Mn ions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 401-405
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cr 3d Surface and Bulk States in Sn$\text{}_{1-x}$Cr$\text{}_{x}$Te/Cr Crystals
    Autorzy:
    Guziewicz, E.
    Szamota-Sadowska, K.
    Kowalski, B. J.
    Grodzicka, E.
    Story, T.
    Orłowski, B. A.
    Johnson, R. L.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1963380.pdf
    Data publikacji:
    1997-04
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.Fx
    79.60.-i
    Opis:
    We report a new approach to investigate metal-semiconductor interface formation. Photoemission spectroscopy was applied in order to investigate the clean surface of a Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te crystal and to observe its changes under sequential deposition of small amounts of Cr atoms. In order to analyse the Cr 3d contribution to the valence band, the Fano-type resonance tuned to the Cr 3p-3d transition was used. The experiment was designed to follow the Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$ Te/Cr interface formation process. At the clean Sn$\text{}_{0.97}$Cr$\text{}_{0.03}$Te surface, the Cr 3d states contribution to the valence band was found to be positioned 0.8 eV below the Fermi level. After the Cr deposition processes the contribution shifted to a higher binding energy and another contribution 5.8 eV below the Fermi level was also observed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 4; 783-787
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Yb on Valence Band Density of States of CdYbTe and PbYbTe - a Resonant Photoemission Study
    Autorzy:
    Szamota-Sadowska, K.
    Kowalski, B. J.
    Guziewicz, E.
    Orłowski, B. A.
    Sadowski, J.
    Gołacki, Z.
    Ghijsen, J.
    Johnson, R. L.
    Belkhou, R.
    Radosavkič, D.
    Martinotti, D.
    Barrett, N.
    Guillot, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952185.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Vv
    Opis:
    Photoemission measurements using synchrotron radiation were performed on PbYbTe (bulk crystal) and CdYbTe (MBE thin film). The resonant enhancement of the photoemission was applied for investigation of the contribution of Yb 4f electrons to the valence band. The set of the energy distribution curves was collected for energies in the region close to the 4d-4f Fano transition. The Yb 4f$\text{}^{14}$ were observed at the binding energies close to the edge of the valence band while the 4f$\text{}^{13}$ states were revealed deep in the valence band.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 943-946
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies