Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "R.I." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    MnAs Overlayer on GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) - Its Growth, Morphology and Electronic Structure
    Autorzy:
    Kowalski, B. J.
    Kowalik, I. A.
    Iwanowski, R. J.
    Łusakowska, E.
    Sawicki, M.
    Sadowski, J.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2038151.pdf
    Data publikacji:
    2004-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.55.-a
    73.20.At
    Opis:
    MnAs layer has been grown by means of MBE on the GaN(000$\text{}_{1}$)-(1 x 1) surface. Spontaneous formation of MnAs grains with a diameter of 30-60 nm (as observed by atomic force microscopy) occurred for the layer thickness bigger than 7 ML. Ferromagnetic properties of the layer with Curie temperature higher than 330 K were detected by SQUID measurements. Electronic structure of the system was investigated in situ by resonant photoemission spectroscopy for MnAs layer thickness of 1, 2, and 8 ML. Density of the valence band states of MnAs and its changes due to the increase in the layer thickness were revealed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 645-650
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Suski, T.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Langer, R.
    Barski, A.
    Bergman, J. P.
    Monemar, B.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M. R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
    Data publikacji:
    1998-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.16.Ch
    61.72.Ff
    71.55.Eq
    Opis:
    The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Localization Effects in GaN/AlGaN Quantum Well - Photoluminescence Studies
    Autorzy:
    Chwalisz, B.
    Wysmołek, A.
    Bożek, R.
    Korona, K. P.
    Stępniewski, R.
    Knap, W.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J. M.
    Grandjean, N.
    Massies, J.
    Prystawko, P.
    Grzegory, I.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036024.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.20.-r
    73.21.-b
    74.40.+k
    Opis:
    Exciton localization in GaN/AlGaN quantum well structures is studied by photoluminescence. An anomalous temperature behavior of the photoluminescence from the quantum well is observed. With increasing temperature the energy position of the excitonic emission line first decreases up to 20 K, then increases, reaching a maximum around 90 K, and then decreases again in the higher temperature range. The observed behavior is discussed in terms of localization at the interface potential fluctuations. It is argued that the temperature activated migration and subsequent release of the excitons from traps that occurs between 20 K and 90 K are responsible for the observed S-like shape of the energy dependence. The obtained results allow a direct characterization of the energy fluctuations present in GaN/AlGaN quantum wells grown by different techniques.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 573-578
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High temperature stability of electrical and optical properties of bulk GaN:Mg grown by HNPS method in different crystallographic directions
    Autorzy:
    Sadovyi, B.
    Amilusik, M.
    Staszczak, G.
    Bockowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Konczewicz, L.
    Tsybulskyi, V.
    Panasyuk, M.
    Rudyk, V.
    Karbovnyk, I.
    Kapustianyk, V.
    Litwin-Staszewska, E.
    Piotrzkowski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1159722.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    Single crystals of Mg-doped GaN grown by high nitrogen pressure solution method in different crystallographic directions ([0001], [101̅1], and [101̅1̅]) were investigated in order to determine thermal stability of their electrical and optical properties. Obtained dependences of resistivity, the Hall coefficient and energy shift of Mg-related photoluminescence peak on annealing temperature allow to suggest that incorporation of Mg in GaN is significantly influenced by the direction of the crystallization front.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-126-A-128
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Deposition Layers on GaN Single Crystals
    Autorzy:
    Pakula, K.
    Baranowski, J. M.
    Stępniewski, R.
    Wysmołek, A.
    Grzegory, I.
    Jun, J.
    Porowski, S.
    Sawicki, M.
    Starowieyski, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1933937.pdf
    Data publikacji:
    1995-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Fd
    78.55.Cr
    Opis:
    The homoepitaxial growth of GaN layers has been achieved for the first time. Bulk GaN single crystals which have been used as a substrate have been grown from diluted solution of atomic nitrogen in the liquid gallium at 1600°C and at nitrogen pressure of about 15-20 kbar. It is shown that a terrace growth of GaN epitaxial layer has been realized. The high quality of the GaN film has been confirmed by luminescence measurements. The analysis of donor-acceptor and exciton luminescence is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 861-864
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN
    Autorzy:
    Wysmołek, A.
    Łomiak, P.
    Baranowski, J. M.
    Pakuła, K.
    Stępniewski, R.
    Korona, K. P.
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1952430.pdf
    Data publikacji:
    1996-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    63.20.Mt
    71.55.Eq
    Opis:
    The photoluminescence of homoepitaxial and heteroepitaxial GaN layers is reported. It is shown that the coupling between LO phonons and neutral acceptor bound excitons is much stronger than the coupling between LO phonons and neutral donor bound excitons. In undoped homoepitaxial layer, in spite of that the no-phonon emission due to donor bound excitons is one order of magnitude stronger than the acceptor bound excitons emission, the predominant structure in the LO phonon replica of the excitonic spectrum is related to optical transitions involving acceptor bound excitons. Temperature studies showed that at higher temperature the LO phonon replica is related to free excitons.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 981-984
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Ivanov, V. Yu.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Wisniewski, P.
    Suski, T.
    Bockowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Krukowski, S.
    Łucznik, B.
    Wróblewski, M.
    Weyher, J.
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Czernecki, R.
    Lehnert, J.
    Nowak, G.
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Purgał, W.
    Krupczyński, W.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Litwin-Staszewska, E.
    Skierbiszewski, C.
    Łepkowski, S.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Opis:
    In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies