Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "compact modeling" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Advanced compact modeling of the deep submicron technologies
    Autorzy:
    Grabiński, W.
    Bucher, M.
    Sallese, J.-M.
    Krummenacher, F.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/309312.pdf
    Data publikacji:
    2000
    Wydawca:
    Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
    Tematy:
    ultra deep submicron (UDSM) technology
    compact modeling
    EKV MOS transistor model
    MOSFET
    matching
    low power
    RF applications
    Opis:
    The technology of CMOS large-scale integrated circuits (LSI's) achieved remarkable advances over last 25 year and the progress is expected to continue well into the next century. The progress has been driven by the downsizing of the active devices such as MOSFETs. Approaching these dimensions, MOSFET characteristics cannot be accurately predicted using classical modeling methods currently used in the most common MOSFET models such as BSIM, MM9 etc, without introducing large number of empirical parameters. Various physical effects that needed to be considered while modeling UDSM devices: quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects, bias dependent source/drain resistances and capacitances, vertical and lateral doping profiles, etc. In this paper, we will discuss the progress in the CMOS technology and the anticipated difficulties of the sub-0.25 žm LSI downsizing. Subsequently, basic MOSFET modeling methodologies that are more appropriate for UDSM MOSFETs will be presented as well. The advances in compact MOSFET devices will be illustrated using application examples of the EPFL EKV model
    Źródło:
    Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 3-4; 31-42
    1509-4553
    1899-8852
    Pojawia się w:
    Journal of Telecommunications and Information Technology
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Compact modeling of low-power and RF analogue MOSFET devices
    Autorzy:
    Grabiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378393.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    The technology of CMOS very large-scale integrated circuits (VLSI's) achieved remarkable advances over the last 25 years and the progress is expected to continue well into this century. The progress has been driven by the downsizing of the key devices: MOSFETs. Approaching these dimensions, MOSFET characteristics cannot be accurately predicted using classical modeling methods currently used in the most common MOSFET models such as BSIM3/4, EKV v2.6, HiMOS, MOS9 etc., without introducing large number of empirical parameters. Various physical effects that are needed to be considered while modeling UDSM devices: quantization of the inversion layer, mobility degradation, carrier velocity saturation and overshoot, polydepletion effects, bias dependent source/drain resistances and capacitances, vertical and lateral doping profiles, etc. In this paper, we will discuss the progress in CMOS technology and anticipated difficulties of the sub-O.25 um VLSI downsizing. Subsequently, basic MOSFET modeling methodologies that are more appropriate for low power and RF analogue applications of UDSM MOSFETs will be presented as well.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 2; 1-7
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Compact device modeling using Verilog-AMS and ADMS
    Autorzy:
    Lemaitre, L.
    Grabiński, W.
    McAndrew, C.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/378395.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
    Opis:
    This paper shows how high level language such as Verilog-AMS can serve as support for compact modeling development of new devices. First section gives a fulI Verilog-AMS code of a simplified bipolar transistor. Each part of the code is carefulIy examined and explained. Second section compares different implementations of the simplified bipolar transistor in different spice simulators. ADMS, an open-source tool developed at Motorola, performs the implementation from Verilog-AMS to simulators. Third section concludes the paper by describing the implementation of the EKV model into ADS using the compact model interface provided by Agilent.
    Źródło:
    Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 3; 1-5
    1897-2381
    Pojawia się w:
    Electron Technology : Internet Journal
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies