- Tytuł:
- Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping
- Autorzy:
-
Głuszko, G.
Szostak, S.
Gottlob, H.
Lemme, M.
Łukasiak, L. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/308671.pdf
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
charge-pumping
electrical characterization
interface traps
SOI MOSFET - Opis:
- This paper presents the results of charge-pumping measurements of SOI MOSFETs. The aim of these measurements is to provide information on the density of interface traps at the front and back Si-SiO2 interface. Three-level charge-pumping is used to obtain energy distribution of interface traps at front-interface.
- Źródło:
-
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 67-72
1509-4553
1899-8852 - Pojawia się w:
- Journal of Telecommunications and Information Technology
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł