Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "81.40.Jj" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Poisson Ratio and Biaxial Relaxation Coefficient in $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$ Alloys
Autorzy:
Łepkowski, S.
Gorczyca, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492915.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.de
61.43.Dq
81.40.Jj
Opis:
We present theoretical results showing dependence of Poisson ratio and biaxial relaxation coefficient on composition and atomic arrangement in wurtzite $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$ alloys. Our calculations reveal that the Poisson ratio determined for $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$ alloys subjected to a uniaxial stress parallel to the c axis of the wurtzite structure shows significant superlinear dependence on composition. The superlinear bowing in Poisson ratio is enlarged by the effect of In clustering. The biaxial relaxation coefficient determined for $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$ alloys subjected to a biaxial stress in the plane perpendicular to the c axis of the wurtzite structure changes superlinearly and linearly with x in $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$, respectively. The effect of In atom clustering results in sublinear dependence of the biaxial relaxation coefficient in both $In_{x}Ga_{1-x}N$ and $In_{x}Al_{1-x}N$ alloys.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 902-904
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pressure Dependence of the Light Emission in Zinc-Blende InGaAs/GaAs and InGaN/GaN Quantum Wells
Autorzy:
Łepkowski, S.
Gorczyca, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791301.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
62.20.D-
62.50.-p
81.40.Jj
78.67.De
Opis:
We present theoretical study of the pressure coefficient of the light emission $(dE_{E}/dP)$ in compressively strained zinc-blende InGaAs/GaAs and InGaN/GaN quantum wells, grown in a (001) direction. We investigate the contributions to $dE_{E}$/dP arising from (i) third-order (nonlinear) elasticity, (ii) nonlinear elasticity, originating from pressure dependence of elastic constants, and (iii) nonlinear dependence of elastic constants on composition in InGaAs and InGaN alloys. The obtained results indicate that the use of nonlinear elasticity is essential for determination of $dE_{E}$/dP in the strained InGaAs/GaAs and InGaN/GaN quantum wells, while the inclusion of the nonlinear dependence of elastic constants on composition of InGaAs and InGaN alloys does not improve agreement between the theoretical end experimental values of $dE_{E}$/dP in the considered structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 857-858
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies