Autor: Zakrzewski, T. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Photo-ESR Studies of Ni doped ZnS and ZnSe
Autorzy:: Surma, M.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Surkova, T. P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1932084.pdf
Data publikacji:: 1995-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.He
78.55.Et
Opis:: The results of electron spin resonance experiments are presented for nickel doped ZnS and ZnSe. Energy level position of Ni$\text{}^{1+}$ state in band gap of ZnS and ZnSe is determined. The nonradiative recombination processes of donor-acceptor pairs in Ni doped samples are discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 221-224
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Co$\text{}^{2+}$ Ions in ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Co - ESR and Optical Studies
Autorzy:: Świątek, K.
Surkova, T. P.
Sienkiewicz, A.
Zakrzewski, A. J.
Godlewski, M.
Giriat, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992580.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Gs
76.30.Fc
78.55.Et
Opis:: The electron spin resonance of Co$\text{}^{2+}$ ions in ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Co mixed crystals was measured at temperature of 3 K and microwave frequency of 9.47 GHz. Trigonal Co$\text{}_{Zn}^{2+}$-S center in the ZnS$\text{}_{0.001}$Se$\text{}_{0.999}$:Co crystal was identified and parameters of relevant spin Hamiltonian were determined. Influence of alloy disorder in the anion sublattice on the Co$\text{}_{Zn}^{2+}$ ground and first excited states is briefly discussed.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 593-596
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Energy Level Position of Ni and Band Offsets in Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Sc:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Sc$\text{}_{1-x}$:Ni
Autorzy:: Surkova, T.
Giriat, W.
Godlewski, M.
Kaczor, P.
Zakrzewski, A. J.
Permogorov, S.
Tenishev, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1934015.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.20.Wc
71.55.Gs
Opis:: Absorption and reflectivity measurements have been carried out for Zn$\text{}_{1-x}$Cd$\text{}_{x}$Se:Ni and ZnS$\text{}_{x}$Se$\text{}_{1-x}$:Ni solid solutions. Energy level positions of nickel 2+/1+ charge state have been used for estimation of band offsets for the valence and conduction bands of ZnCdSe/ZnSe and ZnSSe/ZnSe. Intra-shell transitions of Ni$\text{}^{2+}$ were also studied.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 925-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Nonradiative Recombination Processes in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe Quantum Well Structures
Autorzy:: Godlewski, M.
Ivanov, V.
Zakrzewski, A. J.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968108.pdf
Data publikacji:: 1997-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.60.-p
76.70.Hb
Opis:: Photoluminescence transitions in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe structure grown by molecular beam epitaxy are studied. Photoluminescence investigations show a very strong reduction of the photoluminescence intensity from chromium doped quantum wells. We explain this fact by a very efficient nonradiative recombination in the chromium-doped quantum wells. The present results indicate that the Auger-type energy transfer from excitons to chromium ions is responsible for the photoluminescence deactivation. The efficiency of this process is evaluated.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
Autorzy:: Krajewski, T.
Luka, G.
Smertenko, P.
Zakrzewski, A.
Dybko, K.
Jakiela, R.
Wachnicki, L.
Gieraltowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
Data publikacji:: 2011-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.ag
73.50.-h
73.50.Bk
73.61.Ga
81.15.-z
81.15.Gh
Opis:: The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja