Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "R.P." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 17
Tytuł:
Electronic Structure of ZnS:Co Semiconductors: X-ray and Optical Spectroscopy Studies
Autorzy:
Surkova, T. P.
Galakhov, V. R.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036872.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
78.70.En
79.60.-i
Opis:
Experimental studies of X-ray photoelectron and Co L$\text{}_{α}$ X-ray emission spectra of the ZnS:Co semiconductor were carried out. It was established that Co ions are in a Co$\text{}^{2+}$ configuration and that the Co 3d impurity states are localized above the top of the valence band by 1.0±0.2 eV.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 703-708
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Emission Properties of GaN-Based Laser Diode Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Phillips, M. R.
Czernecki, R.
Targowski, G.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Figge, S.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043715.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.-z
78.60.Hk
68.37.Hk
Opis:
Cathodoluminescence is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from two types of GaN-based laser diode structures. We evaluate in-depth properties of the laser diode emission and demonstrate that potential fluctuations still affect emission of laser diodes for e-beam currents above thresholds for a stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 675-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Surma, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Fronc, K.
Stalinga, P.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
76.30.Lh
78.66.Fd
Opis:
Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Synchrotron Photoemission Study of Ferromagnetic (Zn,Co)O Films
Autorzy:
Guziewicz, E.
Lukasiewicz, M.
Wachnicki, L.
Kopalko, K.
Dłużewski, P.
Jakiela, R.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492604.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.At
75.50.Pp
81.05.Dz
81.15.Gh
Opis:
The electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films was investigated by resonant photoemission across the Co 3p → Co 3d photoionization threshold, e.g. using photon energy between 50 eV and 66 eV. The films were grown by atomic layer deposition at temperature between 160C and 300C and they differed in distribution and content of cobalt. The maximum of the Fano resonance was observed at photon energy 63 eV, whereas the minimum at 58 eV. The difference between energy distribution curves taken at 63 eV and the one taken at 58 eV was calculated for a series of samples. It shows that the Co 3d contribution to the valence band electronic structure of ferromagnetic (Zn,Co)O films differs significantly from that of the films which show the paramagnetic response.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-040-A-042
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanisms of Yellow and Red Photoluminescence in Wurtzite and Cubic GaNDOI
Autorzy:
Godlewski, M.
Suski, T.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Langer, R.
Barski, A.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969079.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Ch
61.72.Ff
71.55.Eq
Opis:
The origin of two "deep" photoluminescence (PL) emissions observed in wurtzite (yellow PL) and cubic (red PL) GaN is discussed. PL and time-resolved PL studies confirm donor-acceptor pair character of the yellow band in wurtzite GaN and point to participation of shallow donors in this emission. A similar PL mechanism is proposed for the red emission of cubic GaN. We further show a puzzling property of both yellow and red PLs. Both yellow and red emissions show spatial homogeneity and are only weakly dependent on surface morphology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 326-330
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Detected Magnetic Resonance Studies of Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x=0.095, 0.007)
Autorzy:
Godlewski, M.
Świątek, K.
Gałązka, R. R.
Monemar, B.
van Loosdrecht, P. H. M.
Wittlin, A.
Perenboom, J. A. A. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929637.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.70.Hb
78.55.Et
71.35.+z
Opis:
The dominant mechanism responsible for the optical detection of the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (x = 0.095, 0.007) is explained. By either change of the external magnetic field or by setting the conditions for the Mn$\text{}^{2+}$ magnetic resonance, we could change the relative efficiencies of the two competing excitonic recombination processes. By lowering magnetization at the magnetic resonance, recombination via the acceptor bound exciton channel, which is mainly nonradiative, is enhanced. Then, a large up to 50% decrease in the total photoluminescence efficiency was observed in the optically detected magnetic resonance experiment. Such observation allows for verification of the large efficiency of the Auger-type transition responsible for the nonradiative decay of the acceptor bound exciton.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 539-542
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoluminescence Studies of Cubic Phase GaN Grown by Molecular Beam Epitaxy on (001) Silicon Covered with Sic Layer
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Barski, A.
Langer, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968103.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.47.+p
Opis:
In this work we evaluate optical properties of cubic phase GaN epilayers grown on top of (001) silicon substrate prepared by a new process. Prior to the growth Si substrate was annealed at 1300-1400°C in propane. The so-prepared substrate is covered with a thin (≈ 4 nm) SiC wafer, which allowed a successful growth of good morphological quality cubic phase GaN epilayers. The present results confirm recent suggestion on smaller ionization energies of acceptors in cubic phase GaN epilayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thin Film ZnO as Sublayer for Electric Contact for Bulk GaN with Low Electron Concentration
Autorzy:
Grzanka, S.
Łuka, G.
Krajewski, T. A.
Guziewicz, E.
Jachymek, R.
Purgal, W.
Wiśniewska, R.
Sarzyńska, A.
Bering-Staniszewska, A.
Godlewski, M.
Perlin, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048094.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.40.Kp
73.40.Lq
Opis:
Fabrication of low resistivity ohmic contacts to N polarity gallium nitride crystal is an important issue for the construction of the vertical current flow devices like laser diodes and high brightness light emitting diodes. Gallium nitride is a challenging material because of the high metal work function required to form a barrier-free metal-semiconductor interface. In practice, all useful ohmic contacts to GaN are based on the tunneling effect. Efficient tunneling requires high doping of the material. The most challenging task is to fabricate high quality metal ohmic contacts on the substrate because the doping control is here much more difficult that in the case of epitaxial layers. In the present work we propose a method for fabricating low resistivity ohmic contacts on N-side of GaN wafers grown by hydride vapor phase epitaxy. These crystals were characterized by a n-type conductivity and the electron concentration of the order of 10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$. The standard Ti/Au contact turned out to be unsatisfactory with respect to its linearity and resistance. Instead we decided to deposit high-n type ZnO layers (thickness 50 nm and 100 nm) prepared by atomic layer deposition at temperature of 200°C. The layers were highly n-type conductive with the electron concentration in the order of 10$\text{}^{20}$ cm$\text{}^{-3}$. Afterwards, the metal contact to ZnO was formed by depositing Ti and Au. The electrical characterization of such a contact showed very good linearity and as low resistance as 1.6 × 10$\text{}^{-3}$ Ω cm$\text{}^{2}$. The results indicate advantageous properties of contacts formed by the combination of the atomic layer deposition and hydride vapor phase epitaxy technology.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 672-674
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Exciton Properties in CdTe/CdMnTe Quantum Well Structures with Strong Localization Effects
Autorzy:
Godlewski, M.
Narkowicz, R.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969075.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
71.55.Jv
73.20.Mf
Opis:
Strong localization effects present in quantum well structures of CdTe/ CdMnTe noticeably affect exciton dynamics and strength and character of exciton-phonon interaction. We show that the temperature dependences of the PL linewidth, PL peak wavelength and PL decay time strongly deviate from those expected for Wannier-excitons in structures with atomically smooth interfaces.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 317-320
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
Autorzy:
Godlewski, M.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Wisniewski, P.
Suski, T.
Bockowski, M.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
Autorzy:
Pietruszka, R.
Łuka, G.
Witkowski, B. S.
Kopalko, K.
Zielony, E.
Biegański, P.
Płaczek-Popko, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
fotowoltaika
tlenek cynku
metoda osadzania warstw atomowych
photovoltaic
zinc oxide
Opis:
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dynamics of Light Emission in CdMnS Nanoparticles
Autorzy:
Godlewski, M.
Yatsunenko, S.
Drozdowicz-Tomsia, K.
Goldys, E. M.
Phillips, M. R.
Klar, P. J.
Heimbrodt, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043717.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Wx
78.55.Et
78.47.+p
71.55.Gs
76.30.Fc
76.70.Hb
Opis:
We demonstrate coexistence of slow and fast components of photoluminescence decay of the Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell emission in nanoparticles of CdMnS. We explain the observed decrease in PL lifetime of the Mn$\text{}^{2+}$ intra-shell transition by high efficiency of spin dependent magnetic interactions between localized spins of Mn$\text{}^{2+}$ ions and free carriers. This mechanism is enhanced in nanostructures, but it is also present in bulk samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 681-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Goldys, E. M.
Phillips, M.
Böttcher, T.
Figge, S.
Hommel, D.
Czernecki, R.
Prystawko, P.
Leszczynski, M.
Perlin, P.
Grzegory, I.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Ff
61.72.Mm
68.37.Hk
78.60.Hk
Opis:
Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Schottky Junctions Based on the ALD-ZnO Thin Films for Electronic Applications
Autorzy:
Krajewski, T.
Luka, G.
Smertenko, P.
Zakrzewski, A.
Dybko, K.
Jakiela, R.
Wachnicki, L.
Gieraltowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492501.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
73.50.-h
73.50.Bk
73.61.Ga
81.15.-z
81.15.Gh
Opis:
The ZnO-based Schottky diodes revealing a high rectification ratio may be used in many electronic devices. This paper demonstrates several approaches to obtain a ZnO-based Schottky junction with a high rectification ratio. The authors tested several methods such as: post-growth annealing of the ZnO layer, acceptor (nitrogen) doping, as well as the ZnO surface coating with a properly chosen dielectric material. The influence of these approaches on the diode's rectification ratio together with modeling based on the differential approach and thermionic emission theory are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-017-A-021
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies