Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Pietruszka, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    ZnO dla fotowoltaiki
    ZnO for Photovoltaics
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Łuka, G.
    Pietruszka, R.
    Wachnicki, Ł.
    Witkowski, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159146.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    fotowoltaika
    tlenek cynku
    photovoltaics
    zinc oxide
    Opis:
    Mimo znaczącej redukcji kosztów paneli fotowoltaicznych (PV), cena energii wytwarzanej przez baterie słoneczne ciągle jest za wysoka. Możliwe są dwie strategie rozwiązania tej sytuacji – (a) podniesienie wydajności konwersji światła w komórkach fotowoltaicznych lub/i (b) obniżenie kosztów paneli PV poprzez zastosowanie tańszych materiałów lub technologii. W referacie omówione są prace mające na celu: (a) zastąpienie zbyt drogiego ITO warstwami ZnO o przewodnictwie metalicznym, (b) uproszczenie konstrukcji komórek PV oraz (c) znalezienie alternatywnych materiałów.
    Despite of a large reductions of costs energy produced by solar panels is still too expensive. There are two approaches to change this situation: by (a) increase of device output and/or (b) reduction of device costs by use of cheaper alternative materials. In this article we discuss the latter approach – (a) replacement of ITO by ZnO with metallic conductivity, (b) change of device architecture, and (c) use of alternative materials.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 5-13
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical and electrical properties of highly doped ZnO:Al films deposited by atomic layer deposition on Si substrates in visible and near infrared region
    Autorzy:
    Romanyuk, V.
    Dmitruk, N.
    Karpyna, V.
    Lashkarev, G.
    Popovych, V.
    Dranchuk, M.
    Pietruszka, R.
    Godlewski, M.
    Dovbeshko, G.
    Timofeeva, I.
    Kondratenko, O.
    Taborska,, M.
    Ievtushenko, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1156366.pdf
    Data publikacji:
    2016-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Hf
    73.61.Ga
    Opis:
    Optical properties of ZnO films doped by Al in the range 0.5 to 7 at.% and deposited by atomic layer deposition were studied in visible and infrared spectral range. Spectral dependences of film optical permittivity were modeled with the Lorentz-Drude approximation resulting in ZnO:Al plasma frequency and plasma damping parameters. We observed changing electron effective mass from 0.29m₀ to 0.5m₀ with increasing electron concentration in the range (0.9-4) × 10²⁰ due to the phenomenon of conduction band non-parabolicity. Comparing the results of optical and electrical investigations we can see that the main scattering mechanism is the scattering on grain boundaries (its contribution is about 60%).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-36-A-40
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
    Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
    Autorzy:
    Pietruszka, R.
    Łuka, G.
    Witkowski, B. S.
    Kopalko, K.
    Zielony, E.
    Biegański, P.
    Płaczek-Popko, E.
    Godlewski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    fotowoltaika
    tlenek cynku
    metoda osadzania warstw atomowych
    photovoltaic
    zinc oxide
    Opis:
    Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
    We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
    Autorzy:
    Gwóźdź, K.
    Płaczek-Popko, E.
    Gumienny, Z.
    Zielony, E.
    Pietruszka, R.
    Witkowski, B. S.
    Wachnicki, Ł.
    Gierałtowska, S.
    Godlewski, M.
    Chang, L. B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201432.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    solar cells
    ZnO
    Si
    heterojunction
    nanorods
    nanoparticles
    ogniwa słoneczne
    nanopręty
    nanocząstki
    Opis:
    Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 529-533
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies