Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "K., B." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 22
Tytuł:
Structure Dependent Conductivity of Ultrathin ZnO Films
Autorzy:
Snigurenko, D.
Kopalko, K.
Krajewski, T.
Łuka, G.
Gierałtowska, S.
Witkowski, B.
Godlewski, M.
Dybko, K.
Paszkowicz, W.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403646.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
78.66.Hf
81.15.Gh
Opis:
Zinc oxide films dedicated for hybrid organic/inorganic devices have been studied. The films were grown at low temperature (100°C, 130C and 200°C) required for deposition on thermally unstable organic substrates. ZnO layers were obtained in atomic layer deposition processes with very short purging times in order to shift a structure of the films from polycrystalline towards amorphous one. The correlation between atomic layer deposition growth parameters, a structural quality and electrical properties of ZnO films was determined.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1042-1044
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cathodoluminescence Profiling for Checking Uniformity of ZnO and ZnCoO Thin Films
Autorzy:
Witkowski, B. S.
Łukasiewicz, M. I.
Wolska, E. A.
Kopalko, K.
Kowalski, B. J.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048105.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
78.30.Fs
78.60.Hk
Opis:
We employ scanning electron microscopy and cathodoluminescence for evaluation of uniformity of ZnCoO films obtained by the atomic layer deposition. Cathodoluminescence quenching by Co ions allows us to detect (regions of weaker light emission) Co accumulations, with the resolution limited by diffusion length of secondary carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 675-677
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Si/ZnO nanorods with Ag nanoparticles/AZO heterostructures in PV applications
Autorzy:
Gwóźdź, K.
Płaczek-Popko, E.
Gumienny, Z.
Zielony, E.
Pietruszka, R.
Witkowski, B. S.
Wachnicki, Ł.
Gierałtowska, S.
Godlewski, M.
Chang, L. B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201432.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
solar cells
ZnO
Si
heterojunction
nanorods
nanoparticles
ogniwa słoneczne
nanopręty
nanocząstki
Opis:
Our studies focus on test structures for photovoltaic applications based on zinc oxide nanorods grown using a low-temperature hydrothermal method on a p-type silicon substrate. The nanorods were covered with silver nanoparticles of two diameters – 20–30 nm and 50–60 nm – using a sputtering method. Scanning electron microscopy (SEM) micrographs showed that the deposited nanoparticles had the same diameters. The densities of the nanorods were obtained by means of atomic force microscope (AFM) images. SEM images and Raman spectroscopy confirmed the hexagonal wurtzite structure of the nanorods. Photoluminescence measurements proved the good quality of the samples. Afterwards an atomic layer deposition (ALD) method was used to grow ZnO:Al (AZO) layer on top of the nanorods as a transparent electrode and ohmic Au contacts were deposited onto the silicon substrate. For the solar cells prepared in that manner the current-voltage (I-V) characteristics before and after the illumination were measured and their basic performance parameters were determined. It was found that the spectral characteristics of a quantum efficiency exhibit an increase for short wavelengths and this behavior has been linked with the plasmonic effect.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2016, 64, 3; 529-533
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Characterization of CdZnSe/ZnSe Multiquantum Well System
Autorzy:
Godlewski, M.
Karpińska, K.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Kurtz, E.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1932081.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.-p
71.35.+z
76.70.Hb
Opis:
Optical properties of Cd$\text{}_{x}$Zn$\text{}_{1-x}$Se/ZnSe (x = 0.12) multiquantum well system are discussed. The transient photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments demonstrate a strong contribution of bound exciton emission to the low temperature photoluminescence spectra.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 209-212
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Time-Resolved Microwave Spectroscopy of High Electron Mobility GaAs/AlGaAs Structures
Autorzy:
Khachepuridze, A.
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991552.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Dx
76.40.+b
76.70.Hb
Opis:
Mechanism of the optical detection of cyclotron resonance via emission from 2D electron gas in modulation doped quantum wells and in high electron mobility structures of GaAs/AlGaAs is discussed based on the results of time-resolved optical detection of cyclotron resonance. An important role of impact ionization processes is demonstrated. We also show that microwave radiation destroys emission enhancement at the Fermi level and the relevant mechanism is proposed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 387-391
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microwave-Induced Delocalization of Excitons in Ternary Compounds of II-VI and III-V Semiconductors
Autorzy:
Ivanov, V. Yu.
Godlewski, M.
Khachapuridze, A.
Yatsunenko, S.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Shamirzaev, T.
Zhuravlev, K.
Leonardi, K.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035757.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.Ji
72.25.Rb
76.70.Hb
78.55.Et
Opis:
In this work we employ technique of optically detected cyclotron resonance for evaluation of the role of localization processes in CdTe/CdMnTe and CdMnTe/CdMgTe quantum well structures. From microwave-induced changes of excitonic emissions we evaluate magnitude of potential fluctuations (Stokes shift), correlate optically detected cyclotron resonance results with the results of time-resolved experiments and discuss nature of recombination processes in the limit of a strong localization.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 559-566
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fermi-Edge Singularity in Excitonic Spectra of Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:
Bugajski, M.
Regiński, K.
Godlewski, M.
Wesołowski, M.
Holtz, P. O.
Buyanov, A. V.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950741.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
85.30.De
Opis:
The dynamic response of an electron Fermi sea to the presence of optically generated holes gives rise to an enhanced interaction of correlated electron-hole pairs near the Fermi level, resulting in an enhanced oscillator strength for optical transitions, referred to as the Fermi-edge singularity. We studied this effect in modulation-doped quantum wells which provide confined dense Fermi sea, spatially separated from dopant atoms, easily accessible for investigations under low excitation conditions. The Fermi-edge singularity was observed in both photoluminescence and photoluminescence excitation experiments, although in the case of photoluminescence the samples had to be either co-doped with acceptors in the wells to provide necessary localization of holes or designed to allow for nearly resonant scattering between the electronic states near the Fermi energy and the next unoccupied subband of the 2D electron gas.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 751-754
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fermi-Edge Singularity in Luminescence Spectra of P-Type Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
Autorzy:
Bugajski, M.
Godlewski, M.
Regiński, K.
Holtz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969046.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.55.Px
73.20.Dx
Opis:
We have studied an enhancement of the oscillator strength for optical transitions near the Fermi energy in p-type modulation-doped quantum wells, which, so far, deserved much less attention than analogous n-type systems, because of the complicated valence band structure involved. The relatively wide (L=150 Å) quantum wells and high doping levels were used, containing more than one occupied subband. The enhancement in the photoluminescence intensity at the Fermi energy resulted from the strong correlation and multiple scattering of holes near the Fermi edge by the localized electrons.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 265-270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact Ionization Driven Chaotic Photoluminescence Oscillations in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As
Autorzy:
Godlewski, M.
Fronc, K.
Gajewska, M.
Chen, W.M.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1888119.pdf
Data publikacji:
1991-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.+z
72.70.+m
76.90.+d
Opis:
A new application of the Optically Detected Cyclotron Resonance (ODCR) is presented. We report impact ionization studies of bound exciton: (BE) and shallow donor related recombination processes in Ga$\text{}_{0.47}$In$\text{}_{0.53}$As. An appearance of chaotic oscillations in photoluminescence (PL) intensity is observed under condition of impact ionization of deeper donors.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 2; 271-274
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inter-Island Energy Transfer in AlGaAs/GaAs Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Autorzy:
Godlewski, M.
Holz, P. O.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Regiński, K.
Bugajski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952469.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Fd
78.47.+p
73.20.Jc
Opis:
The results of photoluminescence, time-resolved photoluminescence, photoluminescence excitation and photoluminescence kinetics studies are presented for a Al$\text{}_{0.3}$Ga$\text{}_{0.7}$As/GaAs quantum well system grown without growth interruptions at the interfaces. The time-resolved photoluminescence measurements show drift of excitons towards lower energy states induced in a quantum well by potential fluctuations. We present also a first direct evidence for migration of free excitons from the 24 to 25 ML regions of the quantum well and interpret these results within a linear rate model, deriving the transition rate of 290 ps$\text{}^{-1}$. Such inter-island migration processes have been observed till now only in growth interrupted structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1007-1011
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical and Structural Characterization of Zinc Oxide Nanostructures Obtained by Atomic Layer Deposition Method
Autorzy:
Wachnicki, Ł.
Witkowski, B.
Gierałtowska, S.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492916.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.07.Bc
82.47.Rs
68.55.-a
81.15.Aa
Opis:
Zinc oxide is a II-VI semiconductor material which is gaining increasing interest in various fields such as biology, medicine or electronics. This semiconductor reveals very special physical and chemical properties, which imply many applications including a transparent electrode in solar cells or LED diodes. Among many applications, ZnO is also a prospective material for sensor technology, where developed surface morphology is very advantageous. In this work we present ZnO nanowires growth using atomic layer deposition method. ZnO nanowires were obtained using controlled physical properties. As a substrate we used gallium arsenide with gold-gallium eutectic droplets prepared on the surface at high temperature. To obtain the eutectic solution there was put a gold thin film on GaAs through the sputtering and then we annealed the sample in a nitrogen gas flow. The so-prepared substrate was applied for growth of ZnO nanowires. We used deionized water and zinc chloride as oxygen and zinc precursors, respectively. The eutectic mixture serves as a catalyst for the ZnO nanowires growth. Au-Ga droplets flow on the front of ZnO nanowires. Scanning electron microscopy images show ZnO nanorods in a form of crystallites of up to 1 μm length and a 100 nm diameter. It is the first demonstration of the ZnO nanowires growth by atomic layer deposition using the vapour-liquid-solid approach.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Struktury fotowoltaiczne oparte o heterozłącze ZnO/Si
Photovoltaic Structures Based on Heterojunction Zno/Si
Autorzy:
Pietruszka, R.
Łuka, G.
Witkowski, B. S.
Kopalko, K.
Zielony, E.
Biegański, P.
Płaczek-Popko, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952439.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
fotowoltaika
tlenek cynku
metoda osadzania warstw atomowych
photovoltaic
zinc oxide
Opis:
Warstwy tlenku cynku otrzymane metodą osadzania warstw atomowych ALD zostały użyte jako n-typu partner dla p-typu krzemu. Jako przezroczystą górną elektrodę wybrano warstwę tlenku cyku domieszkowaną glinem (tak zwana warstwa TCO – Transparent Conductive Oxide). Użyto tanich podłóż krzemowych o niezoptymalizowanej dla zastosowań fotowoltaicznych grubości. W niniejszej pracy badano proste struktury fotowoltaiczne ZnO/Si w celu redukcji kosztów produkcji energii elektrycznej pozyskiwanej za pomocą ogniw fotowoltaicznych. Zmierzona sprawność zoptymalizowanych częściowo (warstwy ZnO) ogniw fotowoltaicznych wyniosła 6%.
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different electrical parameters and thicknesses of ZnO layers were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The soobtained PV structures show 6% efficiency.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2014, 264; 113-123
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
(Zn,Cu)O Films by Atomic Layer Deposition - Structural, Optical and Electric Properties
Autorzy:
Łukasiewicz, M.
Witkowski, B.
Wachnicki, Ł.
Kopalko, K.
Gierałtowska, S.
Wittlin, A.
Jaworski, M.
Guziewicz, E.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492571.pdf
Data publikacji:
2011-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
ZnCuO thin films have been deposited on silicon, glass and quartz substrates by atomic layer deposition method, using reactive organic precursors of zinc and copper. As zinc and copper precursors we applied diethylzinc and copper(II) acetyloacetonate. Structural, electrical and optical properties of the obtained ZnCuO layers are discussed based on the results of scanning electron microscopy, energy dispersive spectroscopy, X-ray diffraction, atomic force microscopy, the Hall effect and photoluminescence investigations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 6A; A-034-A-036
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Growth Conditions on Exciton Properties in Thin Quantum Wells of GaAs/AlGaAs
Autorzy:
Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Holtz, P. O.
Monemar, B.
Bugajski, M.
Regiński, K.
Kaniewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933743.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.Fz
71.35.+z
Opis:
Exciton properties in growth interrupted quantum wells of GaAs/AlGaAs are compared with those observed for structures grown without growth interruption during the molecular beam epitaxy process. We report observation of quasi-localized excitons in quantum well structures grown without growth interruptions. Quasi-localized excitons drift towards the states of a lower potential energy in the quantum well. For growth interrupted MBE structures islands with a constant quantum well thickness become large compared to the exciton radius. Free or lightly localized excitons are observed in that case.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 719-722
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of Exciton Properties in Quantum Well Structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V. Yu.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Leonardi, K.
Behringer, M.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969074.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.35.-y
73.20.Mf
73.20.Dx
Opis:
Properties of excitons in quantum well structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe are compared. In ternary ZnCdSe quantum wells and at low temperature excitons are strongly localised. Weaker localization is observed in quantum well structures of ZnSe/ZnMgSSe. Present studies suggest formation of negatively charged excitons in the latter structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 313-316
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 22

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies