Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Molas, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Fine Structure of Neutral Excitons in Single GaAlAs Quantum Dots
    Autorzy:
    Molas, M.
    Gołasa, K.
    Piętka, B.
    Potemski, M.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403612.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Optical anisotropy of neutral excitons in GaAlAs/AlAs quantum dots is investigated. Low-temperature polarization-sensitive photoluminescence measurements of single quantum dots are performed. It is found that neutral excitons (X) in the quantum dots exhibit a fine structure splitting. The fine structure splitting ranges from 10 μeV to 100 μeV and correlates with the X energy. The polarization axis of the fine structure splitting is well oriented along [110] crystallographic direction of a substrate. The orientation is attributed to the elongation of GaAlAs/AlAs quantum dots in the [110] direction of the substrate.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 988-990
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Effect of Substrate on Vibrational Properties of Single-Layer MoS₂
    Autorzy:
    Gołasa, K.
    Molas, M.
    Nogajewski, K.
    Grzeszczyk, M.
    Zinkiewicz, M.
    Potemski, M.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1398570.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    63.22.-m
    71.35.-y
    78.20.-e
    78.30.-j
    Opis:
    We report on the Raman scattering from single-layer molybdenum disulfide (MoS₂) deposited on various substrates: Si/SiO₂, hexagonal boron nitride (h-BN), sapphire, as well as suspended. Room temperature Raman scattering spectra are investigated under both resonant (632.8 nm) and non-resonant (514.5 nm) excitations. A rather weak influence of the substrate on the Raman scattering signal is observed. The most pronounced, although still small, is the effect of h-BN, which manifests itself in the change of energy positions of the E' and A'₁ Raman modes of single-layer MoS₂. We interpret this modification as originating from van der Waals interaction between the MoS₂ and h-BN layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1172-1175
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Fine Structure of a Triexciton in Single InAs/GaAs Quantum Dots
    Autorzy:
    Molas, M.
    Gołasa, K.
    Furman, M.
    Lapointe, J.
    Wasilewski, Z.
    Potemski, M.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1403615.pdf
    Data publikacji:
    2012-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Results of experimental study of multiexcitonic emission related to the p-shell of single self-assembled InAs/GaAs quantum dots are presented. Optical properties of a first emission line to appear from the p-shell of a strongly excited quantum dots are investigated using low-temperature polarization-sensitive micro-photoluminescence measurements. The emission line is attributed to the recombination of a complex of three electrons and holes confined in a dot (neutral triexciton), 3X. It is found that the emission consists of two linearly polarized components and the fine structure splitting is larger than the respective splitting of a neutral exciton. The optical anisotropy of the 3X emission is related to the anisotropy of the quantum dot localizing potential. The axis of the 3X optical anisotropy changes from dot to dot covering broad range within ± 50 degrees with respect to the axis defined by the optical anisotropy of a neutral exciton (X). Possible origin of the deviation is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 991-993
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Properties of Excitons in Quantum Dots with a Weak Confinement
    Autorzy:
    Gołasa, K.
    Molas, M.
    Goryca, M.
    Kazimierczuk, T.
    Smoleński, T.
    Koperski, M.
    Golnik, A.
    Kossacki, P.
    Potemski, M.
    Wasilewski, Z.
    Babiński, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399080.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    78.67.Hc
    Opis:
    Statistical properties of neutral excitons, biexcitons and trions confined to natural quantum dots formed in the InAs/GaAs wetting layer are reported. The correlation of the trion binding energy and the biexciton binding energy was found. Magnetospectroscopic measurements of the excitons revealed also the correlation of excitonic effective $g^\ast $ factor of an exciton with the biexciton binding energy. The qualitative picture of the effect of quantum confinement on the observed correlations is presented.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 781-784
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies