Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "72.50.+b" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Different Quantization Mechanisms in Single-Electron Pumps Driven by Surface Acoustic Waves
Autorzy:
Utko, P.
Gloos, K.
Bindslev Hansen, J.
Sørensen, C.
Lindelof, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047039.pdf
Data publikacji:
2006-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.23.-b
72.50.+b
73.21.La
Opis:
We have studied the acoustoelectric current in single-electron pumps driven by surface acoustic waves. We have found that in certain parameter ranges two different sets of quantized steps dominate the acoustoelectric current versus gate-voltage characteristics. In some cases, both types of quantized steps appear simultaneously though at different current values, as if they were superposed on each other. This could indicate two independent quantization mechanisms for the acoustoelectric current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 3; 403-408
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Improved 2.5 GHz Electron Pump: Single-Electron Transport through Shallow-Etched Point Contacts Driven by Surface Acoustic Waves
Autorzy:
Utko, P.
Gloos, K.
Hansen, J. B.
Lindelof, P. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035753.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.63.Kv
72.50.+b
06.20.Jr
Opis:
We present an experimental study of a 2.5 GHz electron pump based on the quantized acoustoelectric current driven by surface acoustic waves through a shallow-etched point contact in a GaAs/AlGaAs heterostructure. At low temperatures and with an additional counter-propagating surface acoustic waves beam, up to n=20 current plateaus at I=nef could be resolved, where n is an integer, e the electron charge, and f the surface acoustic waves frequency. In the best case the accuracy of the first plateau at 0.40 nA was estimated to beΔ I/I=±25 ppm over 0.25 mV in gate voltage, which is better than previous results.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 533-538
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies