Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Detektory" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Teoretyczna analiza właściwości heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej
Theoretical analysis of near-room temperature pP⁺ HgCdTe heterojunction using an advanced numerical method
Autorzy:
Gawron, W.
Jóźwikowski, K.
Kopytko, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/210677.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
HgCdTe
heterozłącza
infrared detectors
heterojunctions
Opis:
Artykuł przedstawia wyniki obliczeń teoretycznych parametrów heterozłącza pP⁺ w temperaturze pokojowej wykonanych za pomocą zaawansowanej symulacji komputerowej. Dla porównania przedstawiono także wyniki obliczeń parametrów heterozłącza N⁺p. Wszystkie obliczenia wykonane są dla temperatury 300 K przy oświetlaniu złącza od strony obszaru silnie domieszkowanego promieniowaniem o długości fali 10,6 µm. Wykorzystano oryginalne metody i programy komputerowe opracowane w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego.
We report on the results of theoretical calculation of near-room temperature HgCdTe pP⁺ heterojunction. The calculated parameters of pP⁺ junction were compared with parameters of N⁺p junction. All the analyses were done under 300 K temperatures after illuminating the structure from a highly doped layer by the light with a wavelength of 10.6 µm. We have taken advantage of original methods of numerical simulation using computer programmes prepared at the Institute of Applied Physics.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2011, 60, 4; 161-176
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Detektory podczerwieni z supersieci II rodzaju układu InAs/GaInSb
Type-II InAs/GaInSb superlattices for infrared photodetectors
Autorzy:
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/209342.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Tematy:
detektory podczerwieni
kwantowe efekty rozmiarowe
supersieci II rodzaju z InAs/GaInSb
infrared detectors
low dimensional solids
type II InAs/GaInSb superlattices
Opis:
Artykuł przedstawia stan rozwoju nowej generacji detektorów podczerwieni fotodiod z supersieci II rodzaju ze związków InAs/GaInSb. O ich fundamentalnych właściwościach decydują kwantowe efekty rozmiarowe. Ta nowa tematyka badawcza została podjęta w VIGO System S.A. w ramach realizacji zadania nr 3 programu zamawianego PBZ-MNiSW 02/I/2007. Celem tego zadania jest opracowanie i zbadanie właściwości fotodiod detektorów podczerwieni na bazie supersieci. Podstawę do konstrukcji fotodiod będą stanowić struktury z supersieci II rodzaju z InAs/InGaSb, wykonane w ramach zadania nr 2 PBZ-MNiSW 02/I/2007 realizowanego równolegle w Instytucie Technologii Elektronowej.
This article presents state of the art of new generation of infrared detectors based on low dimensional solids type II InAs/GaSb superlattices for photovoltaic detectors. This new scientific program has been undertaken in VIGO System S.A. owing to realization of grant 3 PBZ-MNiSW 02/I/2007 supported by the Polish Ministry of Science and Higher Education.
Źródło:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej; 2009, 58, 4; 7-16
1234-5865
Pojawia się w:
Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies