Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Samarin, V. A." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Anisotropy of the charge transport in GdB₆
Autorzy:
Anisimov, M.
Glushkov, V.
Bogach, A.
Demishev, S.
Samarin, N.
Samarin, A.
Shitsevalova, N.
Levchenko, A.
Filipov, V.
Gábani, S.
Flachbart, K.
Sluchanko, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1052920.pdf
Data publikacji:
2017-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.15.Gd
Opis:
The anisotropy of charge transport was investigated in the antiferromagnetic II state of GdB₆ from precise measurements of transverse magnetoresistance. Based on the data obtained we detected a complicated behavior of magnetoresistance curves which are characterized by the appearance of considerable hysteresis on the field and angular dependences below T_{N2}. Moreover it was shown that the system GdB₆ is sensitive to cooling-warming prehistory. The data analysis allowed to reconstruct magnetic H-T phase diagram of GdB₆ along main crystallographic directions (H||⟨001⟩,⟨110⟩,⟨111⟩) and to propose additional phase transition inside AF II phase at H₁ ≈ 0.5 T.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 131, 4; 973-975
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hall Effect in $GdB_{6}$
Autorzy:
Anisimov, M.
Bogach, A.
Glushkov, V.
Demishev, S.
Samarin, N.
Shitsevalova, N.
Levchenko, A.
Filippov, V.
Kuznetsov, A.
Flachbart, K.
Sluchanko, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1371548.pdf
Data publikacji:
2014-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.15.Gd
Opis:
The Hall effect of $GdB_{6}$ has been studied on high quality single crystals in the temperature range 2-150 K and in magnetic field of 1 T. The obtained data allow to detect anomalies in the antiferromagnetic (AF) phase including (i) a drastic enhancement of negative Hall coefficient below $T_{N1}$ ≈ 15.5 K and (ii) the appearance of an anomalous Hall effect at $T_{N2}$ ≈ 4.7 K. Possible scenarios of the AF ground state formation are discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 1; 348-349
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Defect Mode in $LaB_{6}$
Autorzy:
Anisimov, M.
Bogach, A.
Glushkov, V.
Demishev, S.
Samarin, N.
Gavrilkin, S.
Mitsen, K.
Shitsevalova, N.
Levchenko, A.
Filippov, V.
Gabani, S.
Flachbart, K.
Sluchanko, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1371551.pdf
Data publikacji:
2014-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
65.40.Ba
Opis:
The specific heat of high quality $La^{N}B_{6}$ (N=10, 11, natural) single crystals is investigated in a wide range of temperatures 2 - 300 K. The obtained data allow to estimate correctly (i) the electronic γ· T term of specific heat (γ ≈ 2.4 mJ/(mol·$K^{2}$)), (ii) the contribution from quasilocal vibrating mode of $La^{3+}$ ions ($Θ_{E}$ ≈ 150 - 152 K), (iii) the Debye-type term from rigid boron cages ($Θ_{D}$ ≈ 1160± 40 K). Our data also suggest an additional defect-mode component (iv) which may be attributed to a contribution of 1.5% boron vacancies in $LaB_{6}$. The obtained results may be interpreted in terms of formation of two level systems, which appear when $La^{3+}$ ions are displaced from their centrosymmetric positions in the cavities of rigid boron cages, apart from randomly distributed boron vacancies in the $LaB_{6}$ matrix.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 1; 350-351
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies