Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tang, Ch. W." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Investigations of the Optical Band Positions and Spin-Hamiltonian Parameters for the Rhombic $VO^{2+}$ Complex in CsCl Crystal
Autorzy:
Fang, W.
Zheng, W.
Yang, D.
Tang, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1365269.pdf
Data publikacji:
2014-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.70.Ch
75.10.Dg
61.72.Bb
76.30.Fc
Opis:
The optical band positions and spin-Hamiltonian parameters (g factors $g_{i}$ and hyperfine structure constants $A_{i}$, where i=x, y, z) of the rhombic $VO^{2+}$ complex in CsCl crystal are calculated together from two theoretical methods. One is the complete diagonalization (of energy matrix) method and another is the perturbation theory method. The calculated results from the two methods coincide and are in reasonable agreement with the experimental values. So, both methods are effective in the explanations of optical and electron paramagnetic resonance (EPR) data for $d^1$ ions in crystals. The calculations also suggest that in $d^1$ rhombic octahedra the ground state is almost a pure | $d_{xy}$ ⟩ state. This point is different from that of conjugate $d^9$ (e.g., $Cu^{2+}$) ions in rhombic octahedra where the ground state should be an admixture of ground and first excited states.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 5; 1206-1209
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies