Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dziuba, K." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
X-Ray and Electron-Optical Characterization of ZnTe/CdTe and ZnTe/GaAs Epitaxial Layers Obtained by the MBE Method
Autorzy:
Auleytner, J.
Dziuba, Z.
Górecka, J.
Pełka, J.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931657.pdf
Data publikacji:
1994-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.14.Hg
61.10.-i
68.55.-a
Opis:
X-ray diffraction topography (Bragg diffraction) and X-ray rocking curve measurements were used to study the perfection and structural properties of ZnTe epitaxial layers on the CdTe and GaAs substrates. ZnTe epitaxial layers on CdTe were grown by MBE method by using a machine made in the Institute of Physics of the Polish Academy of Sciences. The ZnTe layers on GaAs were produced on the other, factory-made MBE system. The comparison between the X-ray topographical images of the substrate and epitaxial layer shows that imperfections on the substrate surface cause imperfections in the epitaxial layer. The results of double-crystal diffractometry measurements show that the perfection of the layer on the GaAs substrate is higher than that on the CdTe. The presence of microtwining in the ZnTe layer on the CdTe substrate was confirmed by RHEED measurements. The X-ray standing wave fluorescent spectra were also measured for the samples.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1994, 86, 4; 567-574
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anomalous Behavior of the Hall Effect in III-V Heterostructures
Autorzy:
Dziuba, Z.
Górska, M.
Marczewski, J.
Przesławski, T.
Regiński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2012953.pdf
Data publikacji:
2000-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Lk
72.80.Ey
Opis:
The Hall effect and magnetoresistance were measured in the InAs/GaAs heterostructure at temperatures from 300 K down to 3 K, in a magnetic field range from 0.01 to 1.5 T. The anomalous magnetic field dependence of the Hall coefficient in the InAs/GaAs heterostructure in magnetic fields below 0.1 T was explained as due to an extraordinary Hall effect caused by skew scattering on dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 2; 331-336
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies