Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Jakieła, B." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Ferromagnetic Transition in $Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ Layers
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Reszka, A.
Świątek, K.
Taliashvili, B.
Story, T.
Szałowski, K.
Balcerzak, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791343.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
75.30.Et
81.15.Hi
Opis:
Ferromagnetic transition temperature in thin layers of diluted magnetic (semimagnetic) semiconductor $Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ was studied experimentally by SQUID magnetometry method and analyzed theoretically for a model Ising-type diluted magnetic system with Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida indirect exchange interaction. The key features of the experimentally observed dependence of the Curie temperature on Mn content (x ≤ 0.12) and conducting hole concentration p = (1-10) × $10^{21} cm^{-3}$ were reproduced theoretically for realistic valence band and crystal lattice parameters of p-$Ge_{1-x}Mn_{x}Te$ taking into account short carrier mean free path encountered in this material and Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida mechanism with both delta-like and diffused character of spatial dependence of the exchange coupling between magnetic ions and free carriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 904-906
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Properties of Epitaxial (Ge,Mn)Te Thin Films with Varying Crystal Stoichiometry
Autorzy:
Knoff, W.
Domukhovski, V.
Dybko, K.
Dziawa, P.
Górska, M.
Jakieła, R.
Łusakowska, E.
Taliashvili, B.
Story, T.
Reszka, A.
Anderson, J.
Rotundu, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811940.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
Opis:
Magnetization of 1 μm thick ferromagnetic IV-VI (Ge, Mn)Te semiconductor layers with 10 at.% of Mn was studied by SQUID magnetometry method up to the magnetic fields of 70 kOe. The layers were grown on BaF₂ (111) substrates by molecular beam epitaxy with varying Te molecular flux, which permitted the control of layer stoichiometry and conducting hole concentration. X-ray diffraction and in situ electron diffraction characterization of layer growth and crystal structure revealed two-dimensional mode of growth and monocrystalline rhombohedral crystal structure of (Ge, Mn)Te layers. Controlling the layer stoichiometry influences the temperature dependence of magnetization with the ferromagnetic Curie temperature varying in $Ge_{0.9}Mn_{0.1}Te$ layers from $T_c$=30 K (low Te flux) to $T_c$=42 K (high Te flux).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1159-1165
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies