Autor: Figielski, T. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures with an Accumulation Layer
Autorzy:: Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wrotek, S.
Dobrowolski, W.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1992612.pdf
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
73.50.Jt
85.30.Mn
Opis:: Two modes of electron gas injection in resonant tunnelling through GaAs/AlGaAs double-barrier heterostructures were revealed while studying their current-voltage characteristics. Examining peculiarities of the characteristics within the temperature range 4-350 K and under a high magnetic field, we were able to distinguish the contribution to resonant tunnelling of ballistic electrons injected from a three-dimensional electron gas in the emitter contact and that of electrons injected from a two-dimensional electron gas in the accumulation layer formed near the emitter barrier.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Aharonov-Bohm Effect at Misfit Dislocations in GaAsSb/GaAs Heterostructures
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Raczyńska, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950746.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.10.Fk
73.40.Kp
03.65.Bz
Opis:: We examined the current flowing through p$\text{}^{+}$-n junction of the lattice mismatched GaAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$/GaAs heterostructure in a transverse magnetic field at 1.8 K. We have found the appearance of current oscillations, periodic as a function of the magnetic field, that are due to the Aharonov-Bohm effect of holes passed around charged dislocations.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 773-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Magnetically Controlled Interference of Ballistic Electrons Tunnelled throughout the Double-Barrier Resonator
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Vitusevich, S. A.
Belyaev, A. E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1950748.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:: An effect of magnetic field normal to the tunnel current on the amplitude and phase of the fine oscillatory structure, discovered in the resonance current-voltage curve in double-barrier AlAs/GaAs heterostructures, has been examined. All the obtained results are consistently explained in terms of the interference of ballistic electrons, escaped from the quantum well, in the collector part of the structure.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Pelya, O.
Sadowski, J.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Jagielski, J.
Wróbel, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2035752.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.63.-b
75.60.-d
73.20.Fz
Opis:: We studied narrow (submicron) constrictions in the layers of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. We have demonstrated a contribution of the quantum localization effects to the magnetoresistance of the constricted samples. We have also found a negative contribution of a domain wall trapped in the constriction to the resistance, due presumably to the erasing of the localization effects by the domain wall.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 525-531
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja