Autor: Dobosz, P. - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Optical and Electrical Properties of Bulk GaSb and AlGaSb
Autorzy:: Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z.
Dobosz, D.
Kaliński, Ż.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1858188.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:: Optical measurements of bulk GaSb:S reveal the structure of the lattice two phonon absorption and acceptor-valence band transitions. A sulphur related local vibrational modes and several bands related to the optical transitions from the ground state of the acceptor level are observed. A comparison of transport and optical measurements for GaSb:Te and AlGaSb:Te shows that in the alloy it is easier to obtain high concentrations of the electrically active Te impurity.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 763-766
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
Autorzy:: Dobaczewski, L.
Kaczor, P.
Missous, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Peaker, A. R.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.38.+i
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:: A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Lattice Sites of Silicon Impurities in AlGaAs Grown by Liquid Phase Epitaxy
Autorzy:: Kaczor, P.
Ashwin, M. J.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Newman, R. C.
Dobaczewski, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951990.pdf
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Fs
63.20.Pw
61.72.-y
Opis:: Localised vibrational mode infrared absorption (10 K) and Hall measurements were made on a series of Si doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As samples with 0 ≤ x ≤ 0.25 grown by liquid phase epitaxy. Localised vibrational modes were detected from Si$\text{}_{Ga}$ donors, Si$\text{}_{As}$ acceptors and Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pairs which increased in frequency as x increased. The assignments of new lines observed at 386, 388 and 391 cm$\text{}^{-1}$ are discussed in relation to possible perturbations of the lines from Si$\text{}_{Ga}$ or Si$\text{}_{As}$. The presence of DX centres was inferred from observed persistent photoconductivity and attempts were made to relate this result to the presence of the new IR lines.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 865-868
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja