Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Persson, P-E" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Influence of Well-Width Fluctuations on the Electronic Structure of GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N Multiquantum Wells with Graded Interfaces
Autorzy:
Valcheva, E.
Dimitrov, S.
Monemar, B.
Haratizadeh, H.
Persson, P.O.A.
Amano, H.
Akasaki, I.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047708.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.55.Cr
73.20.-r
73.21.-b
74.40.+k
Opis:
Experimental and computation results based on chemical composition assessment of metal-organic chemical vapour deposition grown undoped GaN/Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$N multiquantum well structures in the low composition limit of x = 0.07 and wide wells demonstrate composition fluctuations in the barrier layers which lead to large-scale nonuniformities and inequivalence of the different wells. As a consequence the experimental photoluminescence spectra at low temperature show a double peak structure indicative of well-width fluctuations by one lattice parameter (2 monolayers).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 395-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies