Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Demchenko, E." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Resonant Photoemission Spectroscopy Study on the Contribution of the Yb 4f States to the Electronic Structure of ZnO
Autorzy:
Demchenko, I.
Melikhov, Y.
Konstantynov, P.
Ratajczak, R.
Barcz, A.
Guziewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030972.pdf
Data publikacji:
2018-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
77.55.hf
74.25.Jb
33.60.+q
Opis:
The electronic structure of Yb implanted ZnO has been studied by the resonant photoemission spectroscopy. The contribution of the Yb 4f partial density of states is predominant at binding energy about 7.5 and ≈11.7 eV below the VB maximum. At photon energy about 182 eV the multiplet structure around 11.7 eV shows the strongest resonance that corresponds to the ¹I multiplet which is almost exclusively responsible for this resonance, while ³H and ³F states are responsible for the resonance around 7.5 eV. It was also found that the Yb 4f partial density of states distribution shows some similarity to Yb₂O₃.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 4; 907-909
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
XANES Studies of Mn K and $L_{3,2}$ Edges in the (Ga,Mn)As Layers Modified, by High Temperature Annealing
Autorzy:
Wolska, A.
Lawniczak-Jablonska, K.
Klepka, M.
Jakieła, R.
Demchenko, I.
Sadowski, J.
Holub-Krappe, E.
Persson, A.
Arvanitis, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812244.pdf
Data publikacji:
2008-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.70.Dm
75.50.Pp
Opis:
$Ga_{1-x}Mn_xAs$ is commonly considered as a promising material for microelectronic applications utilizing the electron spin. One of the ways that allow increasing the Curie temperature above room temperature is to produce second phase inclusions. In this paper $Ga_{1-x}Mn_xAs$ samples containing precipitations of ferromagnetic MnAs are under consideration. We focus on the atomic and electronic structure around the Mn atoms relating to the cluster formation. The changes in the electronic structure of the Mn, Ga and As atoms in the (Ga,Mn)As layers after high temperature annealing were determined by X-ray absorption near edge spectroscopy. The experimental spectra were compared with the predictions of ab initio full multiple scattering theory using the FEFF 8.4 code. The nominal concentration of the Mn atoms in the investigated samples was 6% and 8%. We do not observe changes in the electronic structure of Ga and As introduced by the presence of the Mn atoms. We find, in contrast, considerable changes in the electronic structure around the Mn atoms. Moreover, for the first time it was possible to indicate the preferred interstitial positions of the Mn atoms.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 2; 357-366
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
(Eu,Gd)Te - MBE Growth and Characterization
Autorzy:
Dziawa, P.
Taliashvili, B.
Domuchowski, W.
Łusakowska, E.
Arciszewska, M.
Demchenko, I.
Dobrowolski, W.
Dybko, K.
Fedorych, O. M.
Nadolny, A. J.
Osinniy, V.
Petrouchyk, A.
Story, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038228.pdf
Data publikacji:
2004-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.50.Pp
81.15.Hi
Opis:
Monocrystalline thin layers of (Eu,Gd)Te, n-type ferromagnetic semiconductor, were grown by molecular beam epitaxy technique on BaF$\text{}_{2}$ (111) substrates. Reflection high-energy electron diffraction, X-ray diffraction, and atomic force microscopy characterization proved epitaxial mode of growth and high crystal quality of the layers. Magnetic susceptibility and magnetic resonance measurements showed that in (Eu,Gd)Te layers ferromagnetic transition takes place at about 13 K. Electrical characterization carried out by the Hall effect and resistivity measurements revealed very high electron concentration of 10$\text{}^{20}$~cm$\text{}^{-3}$ and sharp maximum of resistivity at transition temperature.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 106, 2; 215-221
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies