Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dyakonova, M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
THz Emission Related to Hot Plasmons and Plasma Wave Instability in Field Effect Transistors
Autorzy:
Dyakonova, N.
El Fatimy, A.
Meziani, Y.
Coquillat, D.
Knap, W.
Teppe, F.
Buzatu, P.
Diforte-Poisson, M.
Dua, C.
Piotrowicz, S.
Morvan, E.
Delage, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492956.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
Opis:
The current flowing in two-dimensional channel of field effect transistors can generate different types of charge density perturbations. They can have a form of uncorrelated hot plasmons or plasma waves. The mechanism of plasma wave generation depends on the parameter ωt and on boundary conditions of the channel. At ωt ≪ 1 only hot plasmons can be generated. The THz emission due to radiative decay of hot plasmons has a broad spectrum and can be only poorly controlled by the transistor gate. The tunability of THz emission can be obtained in the case of the Dyakonov-Shur plasma wave instability. In this work we present experimental studies of THz emission in InGaP/InGaAs/GaAs and GaN/AlGaN based field effect transistors. We report on two types of emission onset: (i) a smooth one typical for hot plasmons generation and (ii) threshold-like one characteristic for plasma waves instabilities. The tunability and spectra of emission change depending on the transistor configuration. We discuss the results suggesting several possible mechanisms of plasma wave excitation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 924-926
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Terahertz Detection of Quantum Cascade Laser Emission by Plasma Waves in Field Effect Transistors
Autorzy:
Teppe, F.
Consejo, C.
Torres, J.
Chenaud, B.
Solignac, P.
Fathololoumi, S.
Wasilewski, Z.
Zholudev, M.
Dyakonova, N.
Coquillat, D.
El Fatimy, A.
Buzatu, P.
Chaubet, C.
Knap, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1492959.pdf
Data publikacji:
2011-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.Tv
07.57.Kp
52.35.-g
Opis:
We report on the resonant detection of a 3.1 THz radiation produced by a quantum cascade laser using a 250 nm gate length GaAs/AlGaAs field effect transistor at liquid nitrogen temperature. We show that the physical mechanism of the detection is related to the plasma waves excited in the transistor channel. The detection is enhanced by increasing the drain current and driving the transistor into saturation regime. These results clearly show that plasma wave nanometer-size transistors can be used as detectors in all-solid-state terahertz systems where quantum cascade lasers act as sources.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 930-932
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies