Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kac, S." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Morphology and Structure of the Erbium Stabilized Bismuth Oxide Thin Films Deposited by PLD Technique
Autorzy:
Kąc, S.
Szwachta, G.
Cieniek, Ł.
Moskalewicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356362.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Pulsed Laser Deposition
thin films
bismuth oxide
surface topography
Opis:
The aim of the work was to obtain thin bismuth oxide films containing, at room temperature, the Bi1,5Er0,5O3 phase. This phase corresponds to the structure of the high-temperature δ-Bi2O3 phase, in pure bismuth oxide, characterized by the highest ionic conductivity of all known solid state ionic conductors. The high-temperature δ-Bi2O3 phase with the face centered cubic structure, in pure bismuth oxide, occurs only at temperature above 730°C. Stabilization of the δ-Bi2O3 phase at room temperature was achieved by an addition of the erbium together with the employ-ment of the Pulsed Laser Deposition (PLD) technique. The influence of an amount of Er alloying and the film thickness on surface morphology, microstructure, phase composition of thin films were investigated. The velocity of deposition of thin layers of bismuth stabilized with erbium in the PLD process using the Nd: YAG laser was about 0.5 nm/s.The investigation results of erbium doped bismuth oxide thin films deposited onto (0001) oriented Al2O3 monocrystalline substrate are presented. Thin films of uniform thickness, without cracks, and porosity were obtained. All deposited thin films (regardless of the film thickness or erbia (Er2O3) content) exhibited a columnar structure. In films stabilized with erbium, up to approx. 250 nm thickness, the columns have a diameter at the base from 25 to 75 nm. The columns densely and tightly fill the entire volume of the films. With increasing of the film thickness increases, porosity also significantly increases. In thin layers containing from 20 to 30 mole % Er2O3 the main identified phase at room temperature is Bi1,5Er0,5O3. It is similar to the defective fluorite-type structure, and belongs to the Fm-3m space group. This phase corresponds to the structure of the high-temperature δ-Bi2O3 phase in pure bismuth oxide.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2019, 64, 3; 969-974
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deposition Of Oxide And Intermetallic Thin Films By Pulsed Laser (PLD) And Electron Beam (PED) Methods
Osadzanie tlenkowych oraz międzymetalicznych cienkich filmów z wykorzystaniem lasera impulsowego (PLD) i wiązki elektronowej (PED)
Autorzy:
Kusiński, J.
Kopia, A.
Cieniek, Ł.
Kąc, S.
Radziszewska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352325.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
PLD
PED
thin film
structure
doped oxides
cienki film
struktura
osadzanie
Opis:
In this work the pulsed laser deposition (PLD) and the pulsed electron beam deposition (PED) techniques were used for fabrication of Mo-Bi2O3, La1-xSrxCoO3, La1-xCaxCoO3 and Al-Mg thin films. An influence of ablation process basic parameters on the coatings structure and properties was discussed. Two types of laser ablation systems were applied: one equipped with a KrF excimer and second with a Q-switched Nd:YAG. Films were deposited on Si and MgO substrates. Scanning (SEM) and transmission (TEM) electron microscopy, atomic force microscopy (AFM) as well as X-ray diffraction (XRD) were used for structural analysis. Investigations focused on structure and chemical composition showed that smooth and dense thin films with nanocrystalline structure, preserving the composition of the bulk target, could be obtained by the both PLD and PED techniques. Research study showed that by a proper selection of PLD and PED process parameters it was possible to deposit films with significantly decreased amount and size of undesirably nanoparticulates.
Osadzanie laserem impulsowym (PLD) oraz osadzanie impulsową wiązka elektronową (PED) wykorzystane zostało do wytwarzania cienkich filmów typu: Mo-Bi2O3, La1-xSrxCoO3, La1-xCaxCoO3 and Al-Mg oraz Al-Mg. Dyskutowano wpływ podstawowych parametrów procesu ablacji na strukturę i właściwości uzyskiwanych powłok. Wykorzystane zostały dwa typy systemów do ablacji; jeden z ekscymerowym laserem KrF i drugi na bazie lasera Nd:YAG z modulatorem dobroci (Q-Switch). Filmy osadzano na podłożu Si i MgO. Skaningowa (SEM) i transmisyjna (TEM) mikroskopia elektronowa, mikroskopia sił atomowych (AFM), oraz dyfrakcja rentgenowska (XRD) wykorzystana została do analizy strukturalnej. Badania skoncentrowane na strukturze i składzie chemicznym wykazały jednorodną i zwartą budowę cienkich nanokrystalicznych filmów uzyskanych metodami PLD i PED utrzymujących skład odparowywanych tarcz. Wykazano doświadczalnie, że odpowiednie dobranie parametrów procesu pozwala otrzymywać filmy o istotnym zminimalizowaniu ilości i wymiarów niekorzystnych nanocząstek w powłoce.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2173-2182
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies