Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Laszcz, A" wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Transmission electron microscopy of In(Ga)As quantum dot structure
Autorzy:
Kątcki, J.
Ratajczak, J.
Łaszcz, A.
Phillipp, F.
Paranthoen, C.
Cheng, X. L.
Fiore, A.
Passaseo, A.
Cingolani, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378389.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Opis:
The application of transmission electron microscopy (TEM) to the investigation of In(Ga)As quantum dot (QD) structures grown on GaAs substrates is reviewed. Using various examples of the QD structures the advantages of using TEM for the analysis of QDs are presented. From plan-view TEM images the areal density of dots can be determined in real structures where QDs are embedded in the structure. Cross-sectional TEM images inform us about the real geometry of the structure, the shape, width and height as well as the distribution of QDs. It is especially useful for the investigations of multilayer QD structures.
Źródło:
Electron Technology : Internet Journal; 2003, 35, 4; 1-6
1897-2381
Pojawia się w:
Electron Technology : Internet Journal
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies