Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hong, Y." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Collaborative 3D-To-2D Tight-Fitting Garment Pattern Design Process for Scoliotic People
Proces projektowania odzieży dla osób ze skoliozą przy użyciu skanera 3D
Autorzy:
Hong, Y.
Zeng, X.
Bruniaux, P.
Liu, K.
Chen, Y.
Zhang, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/232785.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
Tematy:
atypical morphology
virtual prototyping
collaborative design
sensory evaluation
design process
nietypowa morfologia
projektowanie wirtualne
ocena sensoryczna
proces projektowania
Opis:
This paper presents a virtual design process for a tight-fitting garment pattern for adapter consumer garments, aimed at consumers with scoliosis. The design process proposed is based on a virtual human model created using a 3D scanner, allowing simulation of the morphological shape of an individual with atypical physical deformations. Customized 2D and 3D virtual garment prototyping tools are used in combination to create products through interactions between the consumer, designer and pattern maker. After following an interactive sequence: Scanning – Design – Display – Evaluation – Adjustment, a final design solution acceptable to both the designer and consumer can be obtained. Through this process, traditional 2D garment design knowledge, especially design rules influenced by the fabric information, is fully utilized to support the design process proposed. Using the knowledge based collaborative design process, design satisfaction can be largely improved.
W artykule przedstawiono wirtualny proces projektowania wzoru odzieży dla osób ze skoliozą. Zaproponowany projekt jest oparty na wirtualnym modelu ciała człowieka stworzonym przy użyciu skanera 3D, umożliwiającego symulację morfologicznego kształtu ciała osoby o nietypowych deformacjach fizycznych. Po wykonaniu sekwencji interaktywnej: skanowanie – projekt – wyświetlacz – ocena – dostosowanie, można uzyskać ostateczne rozwiązanie projektowe akceptowalne zarówno dla projektanta, jak i dla konsumentów. W tym procesie tradycyjna wiedza z zakresu zasad projektowania odzieży 2D jest w pełni wykorzystywana w celu wspierania zaproponowanego procesu projektowania. Korzystając z kombinacji obu systemów 2D i 3D można w znacznym stopniu poprawić jakość otrzymanego projektu. Udane rozwiązania projektowe można zintegrować z bazą wiedzy o projektowaniu mody, aby tworzyć nowe zasady projektowania i rozszerzać profesjonalną wiedzę dotyczącą projektowania.
Źródło:
Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2017, 5 (125); 113-118
1230-3666
2300-7354
Pojawia się w:
Fibres & Textiles in Eastern Europe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interface Engineering in Heteroepitaxy
Autorzy:
Hong, S. K.
Chen, Y.
Ko, H. J.
Yao, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035571.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.-p
68.35.Dv
81.15.-z
81.15.Hi
81.10.Aj
Opis:
We report the importance of interface engineering in heteroepitaxy with examples of plasma-assisted molecular beam epitaxial ZnO growths on (0001) sapphire substrates and on (0001) GaN/sapphire templates, whose interfaces are engineered to improve and to control properties of ZnO films. The growth of rocksalt structure MgO buffer on Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ (0001) is developed for ZnO epitaxy. By employing the MgO buffer layer, the formation of 30$\text{}^{o}$ rotated mixed domains is prohibited and two-dimensional layer-by-layer growth of ZnO on sapphire substrate is achieved. High-resolution X-ray diffraction reveals the superior improvement in a crystal quality of ZnO films with an MgO buffer. Polarity of wurtzite structure ZnO films on Ga-polar GaN/sapphire templates is controlled by changing interface structures. By forming a single crystalline, monoclinic Ga$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ interfacial layer between GaN and ZnO through O-plasma pre-exposure on the Ga-polar GaN surface, O-polar ZnO films are grown. By forming the ZnO/GaN heterointerface without an interfacial layer through the Zn pre-exposure on the Ga-polar GaN surface, Zn-polar ZnO films are grown.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 541-554
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies