Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Caban, P." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-12 z 12
    Tytuł:
    Transport of Photoexcited Electron-Hole Plasma in GaN/AlGaN Quantum Well
    Autorzy:
    Korona, K.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791352.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    72.40.+w
    Opis:
    We report spatially resolved photocurrent measurements showing transport of excitation on long distances in plane of a 6 nm GaN/$Al_{0.1}Ga_{0.9}N$ quantum well. The strong field present in nitrides (due to large spontaneous and piezoelectric polarizations) leads to lower recombination rates of electrons and holes, so in the case of electron-hole pairs excited by light, relatively long-lived electron-hole plasma could be generated. In the case of the investigated quantum well, lifetime of few μs was expected. The thermal measurements showed that barriers were low enough, so all excited carriers could reach the electrode (thermal activation energy of 0.11 eV was found). The diffusion length for unbiased structure was about 40 μm. It was observed that the charge transport could be clearly accelerated by bias. In the biased quantum well, the transport range was of the order of 100 μm under both positive and negative bias. The reported effect of long transport range is very important for electronic devices made on the GaN/AlGaN structures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 927-929
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
    Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Caban, P.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    ZnO monocrystal
    ion implantation
    radiation defect analysis
    wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
    monokryształ ZnO
    implantacja jonów
    analiza defektów radiacyjnych
    Opis:
    High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
    Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
    SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
    Autorzy:
    Stańczyk, B.
    Jagoda, A.
    Dobrzański, L.
    Caban, P.
    Możdżonek, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192224.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiCN
    sputtering
    widmo podczerwieni
    widmo optycznej absorpcji
    dyfrakcja rentgenowska
    SIMS
    rf sputtering
    absorption spectrum
    IR spectrum
    X-ray diffraction
    Opis:
    Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).
    Silicon carbide and silicon nitride are prospective candidates for potential high-temperature structural applications because of their excellent mechanical properties [1]. Both are high-temperature semiconductor materials used as electrical insulators or diffusion barriers in microelectronic devices. Apparently, amorphous silicon carbide nitride (SiCxNy) has tenability over a very wide range of x and y. In this context, SiCXNY alloys are interesting materials, among which one can enumerate the SiC band gap (2,86eV) and insulating Si3N4 films (5eV) [1]. In our paper, we describe the properties of SiCN fabricated by magnetron sputtering from a silicon carbide target in a reactive atmosphere of nitrogen and argon. SiCN was deposited on both Si(111) substrates and silicon substrates with AlN layers. The composition, structure and surface roughness (RMS) of the SiCN films were characterized by X-Ray Diffraction (XRD), Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS), Atomic Force Microscopy (AFM), and Scanning Electron Microscopy (SEM).The influence of the gas composition, gas flow rate and working gas pressure on the quality of layers was examined by the analysis of the spectrum of Optical Absorption and by Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR).
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 2, 2; 18-23
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Stopping Power and Energy Straggling of Channeled He-Ions in GaN
    Autorzy:
    Turos, A.
    Ratajczak, R.
    Pągowska, K.
    Nowicki, L.
    Stonert, A.
    Caban, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504098.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.82.Fk
    61.85.+p
    68.55.Ln
    68.35.Dv
    Opis:
    GaN epitaxial layers are usually grown on sapphire substrates. To avoid disastrous effect of the large lattice mismatch a thin polycrystalline nucleation layer is grown at 500°C followed by the deposition of thick GaN template at much higher temperature. Remnants of the nucleation layer were visualized by transmission electron microscopy as defect agglomeration at the GaN/sapphire interface and provide a very useful depth marker for the measurement of channeled ions stopping power. Random and aligned spectra of He ions incident at energies ranging from 1.7 to 3.7 MeV have been measured and evaluated using the Monte Carlo simulation code McChasy. Impact parameter dependent stopping power has been calculated for channeling direction and its parameters have been adjusted according to experimental data. For virgin, i.e. as grown, samples, the ratio of channeled to random stopping power is constant and amounts to 0.7 in the energy range studied. Defects produced by ion implantation largely influence the stopping power. For channeled ions the variety of possible trajectories leads to different energy loss at a given depth, thus resulting in much larger energy straggling than that for the random path. Beam energy distributions at different depths have been calculated using the McChasy code. They are significantly broader than those predicted by the Bohr formula for random direction.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 163-166
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
    Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
    Autorzy:
    Pasternak, I.
    Grodecki, K.
    Piątkowska, A.
    Ciuk, T.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    graphene on copper foils
    PVD copper films
    grain boundaries
    Raman spectroscopy
    grafen na folii miedzianej
    warstwy PVD miedzi
    granice ziaren
    spektroskopia ramanowska
    Opis:
    Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
    Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    InGaN QW in External Electric Field Controlled by Pumping of 2D-Electron Gas
    Autorzy:
    Korona, K.
    Drabińska, A.
    Surowiecka, K.
    Wołowiec, L.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811946.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    78.55.Cr
    72.40.+w
    Opis:
    We present investigations of GaInN/GaN/AlGaN structure containing cavity designed so that the electric field inside it can be changed by illumination. Numerical calculations show that illumination can change carrier distributions and consequently change the field and potential. The electric field influences properties of a quantum well placed in the cavity. We confirmed experimentally that the electric field controlled by external bias or by optical pumping, can change energy and occupation of electronic states in the quantum well. The quantum well energy could be changed of about 80 meV by voltage and 15 meV by illumination.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1179-1186
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
    Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Wierzbicka, E.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Sathish, N.
    Pągowska, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    implementacja jonowa
    dyfrakcja
    ion implantation
    diffraction
    Opis:
    W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
    In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
    The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Strupiński, W.
    Caban, P.
    Borysiuk, J.
    Pathak, A. P.
    Sathish, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    heterostruktura
    AIIIN
    warstwa buforowa
    XRD
    heterostructure
    buffer layer
    Opis:
    Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
    The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
    The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
    Autorzy:
    Caban, P.
    Kościewicz, K.
    Strupiński, W.
    Pągowska, K.
    Ratajczak, R.
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Turos, A.
    Szmidt, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    LP MOVPE
    GaN
    4H-SiC
    Opis:
    Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
    The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD
    The application of semiconductor epitaxy supporting software in MOCVD technology
    Autorzy:
    Wesołowski, M.
    Strupiński, W.
    Zynek, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Lenkiewicz, D.
    Kościewicz, K.
    Czołak, D.
    Nizel, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192295.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    epitaksja związków półprzewodnikowych
    technologia MOCVD
    struktura półprzewodnikowa
    struktura fotoniczna
    zastosowanie komputerów
    studnia kwantowa
    metody numeryczne
    Opis:
    Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.
    Several areas of semiconductor epitaxy can be efficiently assisted by computer recipes, some of these areas are already covered by well developed software units, other still needs such approach. The presentation of a software package combining most important tasks in one utility and some tests with MOCVD are included in this publication. The studied software overcomes following topics: 1. Flow corrections computing for ternary, quaternary or higher order compounds. 2. Analysis of quantum wells in semiconductor structures. 3. Analysis of Bragg reflectors and other 1- dimensional photonic structures. 4. Electrical potential profiling. 5. Calculators for minor epitaxy-related problems. Evaluation of flow corrections computing was tested on MOCVD with InGaAsP/InP, InGaAsP/GaAs, and other quaternaries and ternaries. Beside first order approximation, the process-flows response was exercised with application of "software-learning" empirical approach. Results indicated these functions as comfortable and efficient. The semiconductor quantum well structure analysis performed on AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP and other structures enabled to determine quantum well parameters with high accuracy. The algorithm developed for strained quantum wells was capable to resolve both QW thickness and composition in multiple PL test. The 1- dimensional photonic structure study with InGaAs/InP Bragg reflectors allowed to fit experimental data and resolve structure parameters and uniformity, technological problems with resonant cavities epitaxy have manifested as reduced by application of compiled numerical recipes. The next software area - electrical potential profiling - offered possibility to investigate HEMT structures, prepare potential data for semiconductor quantum well analysis or to forecast depletion regions of test structures. With few other numerical units all algorithms compose a solution of the problem of computer support for epitaxy.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 19-30
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych
    The effect of implementation of high-temperature AIN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates
    Autorzy:
    Lenkiewicz, D.
    Strupiński, W.
    Zdunek, K.
    Ratajczak, R.
    Stonert, A.
    Borysiuk, J.
    Caban, P.
    Dumiszewska, E.
    Kościewicz, K.
    Wesołowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192297.pdf
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Opis:
    Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.
    The III-N compounds are widely used for manufacturing optoelectronic and microwave devices such as electroluminescent diodes, UV detectors and HEMTs. Application of the lattice-mismatched sapphire substrates requires using low-temperature transition nucleation layers. Typically, the growth temperature of a nucleation layer is 550°C and highly differs from that of the subsequent application layer equal to 1070°C. The temperature increase has a detrimental effect on the structure of the nucleation layer. As a result, more lattice defects, such as interstitials, dislocations and stacking faults are formed in the application layer leading in consequence to deterioration of the device parameters. Present work concentrates on the development of a high-temperature nucleation layer and elimination of the harmful effect of the high temperature. The application of such A1N nucleation layer allows us to obtain a stable hexagonal structure with lower defect density, and it opens up also a possibility for an immediate two-dimensional growth of GaN application layer. The studies of high-temperature nucleation layers properties, their growth conditions and structural and electrical parameters of GaN application layers have been performed. The possibility to obtain the GaN layers with a high-resistivity using sapphire substrates and the AIN nucleation layers has been shown.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2007, T. 35, nr 3-4, 3-4; 5-18
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Terahertz Detection by the Entire Channel of High Electron Mobility Transistors
    Autorzy:
    Sakowicz, M.
    Łusakowski, J.
    Karpierz, K.
    Knap, W.
    Grynberg, M.
    Köhler, K.
    Valusis, G.
    Gołaszewska, K.
    Kamińska, E.
    Piotrowska, A.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1811985.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.75.+a
    78.20.Ls
    85.30.Tv
    07.57.Kp
    Opis:
    GaAs/AlGaAs and GaN/AlGaN high electron mobility transistors were used as detectors of THz electromagnetic radiation at liquid helium temperatures. Application of high magnetic fields led to the Shubnikov-de Haas oscillations of the detection signal. Measurements carried out with a simultaneous modulation of the intensity of the incident THz beam and the transistor gate voltage showed that the detection signal is determined by the electron plasma both in the gated and ungated parts of the transistor channel. This result is of importance for understanding the physical mechanism of the detection in high electron mobility transistors and for development of a proper theoretical description of this process.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1343-1348
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-12 z 12

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies