- Tytuł:
- Investigations of the Implanted Layer in Silicon Based on the Modulated Free Carrier Absorption Phenomenon
- Autorzy:
-
Maliński, M. A.
Chrobak, Ł. B.
Bychto, L.
Pawlak, M. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/118490.pdf
- Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
- Tematy:
-
semiconductors
ion implantation
nondestructive testing techniques
półprzewodniki
implantacja jonów
nieniszczące techniki badań - Opis:
-
This paper presents experimental amplitude MFCA characteristics of the implanted silicon samples. Influence of the silicon implantation process for frequency MFCA characteristics has been analyzed. The idea and the experimental set-up of the proposed method have been presented and discussed. This paper proves that is possible to estimate depth of the implanted layer from MFCA experimental data.
W artykule przedstawiono eksperymentalne charakterystyki MFCA dla próbek implantowanego krzemu. Przeanalizowano wpływ procesu implantacji krzemu na charakterystyki MFCA. Przedstawiono i poddano dyskusji ideę zaproponowanej metody oraz stanowisko eksperymentalne. Praca udowadnia, że możliwa jest estymacja głębokości warstwy implantowanej na podstawie eksperymentalnych charakterystyk MFCA. - Źródło:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2013, 5; 17-22
1897-7421 - Pojawia się w:
- Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł