Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Brzozowski, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Platformy technologiczne. Powszechna mobilizacja
    Technology Platforms. A general mobilization
    Autorzy:
    Trzepiecińska, J.M
    Brzozowski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/179333.pdf
    Data publikacji:
    2005
    Wydawca:
    Centralny Instytut Ochrony Pracy
    Tematy:
    bezpieczeństwo pracy
    źródła informacji
    occupational safety
    information resources
    Opis:
    Komisja Europejska wprowadziła nową formułę integracji przemysłu z nauką - Europejskie Platformy Technologiczne. Ich krajowym odpowiednikiem są Polskie Platformy Technologiczne, a wśród nich tworząca się Polska Platforma Technologiczna Bezpieczeństwo Pracy w Przemyśle. W artykule omówiono cele, źródła finansowania i rodzaje polskich i europejskich platform oraz wizję ich rozwoju do 2020 roku.
    The European Commission has introduced a new formula of integration between industry and research: the European Technology Platforms. At the same Polish Technology Platforms have been established. One of them is the Polish Technology Platform Occupational Safety in Industry. The aims, finance, sources and description of European and Polish platforms, as as well as a vision of their development have been presented in this article.
    Źródło:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka; 2005, 5; 2-5
    0137-7043
    Pojawia się w:
    Bezpieczeństwo Pracy : nauka i praktyka
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
    A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
    Autorzy:
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Lipiński, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192437.pdf
    Data publikacji:
    2014
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    krzem porowaty
    CVD
    folia krzemowa
    epitaxial layer
    porous silicon
    silicon foil
    Opis:
    Określono warunki i opracowano metodę otrzymywania folii krzemowych o grubości do ~ 100 μm i wymiarach 50 x 50 mm. Metoda ta polega na odrywaniu warstw epitaksjalnych osadzanych na porowatej powierzchni płytki krzemowej typu p+. Opracowano oryginalną metodę odrywania warstwy epitaksjalnej łączącą działanie obniżonego ciśnienia i kąpieli w gorącej wodzie.
    A method of obtaining silicon foil with the thickness of up to 100 μm and dimensions 50 x 50 mm was worked out and experimental conditions were determined. This technique consists in the separation of epitaxial layers deposited on the porous surface of the p+ silicon wafer. Such an original method of epitaxial layer separation, combining the effect of low pressure and a bath in hot water, was developed.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2014, T. 42, nr 1, 1; 24-31
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
    Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
    Autorzy:
    Lipiński, D.
    Sarnecki, J.
    Brzozowski, A.
    Mazur, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192080.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    warstwa epitaksjalna
    CVD
    krzem porowaty
    ogniwo słoneczne
    epitaxial layer
    porous silicon
    solar cell
    Opis:
    Ustalono warunki wytwarzania warstw o odpowiedniej porowatości zapewniającej osadzanie w procesie epitaksji z fazy gazowej warstw krzemowych o grubości powyżej 50 μm. W zależności od rezystywności płytek krzemowych typu p+ o orientacji <111> oraz <100> określono związek między gęstością prądu trawienia elektrochemicznego, a porowatością wytworzonych warstw porowatych. Otrzymano warstwy porowate z porowatością w zakresie 5 % - 70 %. Ustalono parametry procesu epitaksji i osadzono krzemowe warstwy epitaksjalne o wysokiej perfekcji strukturalnej i zakładanych parametrach elektrycznych.
    The conditions for producing layers with proper porosity that allows epitaxial growth of Si layers with the thickness of about 50 μm have been established. The relationship between the layer porosity, current density and substrate resistivity has been determined. The layers with porosity in the range between 5 % and 70 % have been obtained. The parameters of the CVD process have been established. Epitaxial silicon layers of high structural perfection and required electrical parameters have been obtained, which has been confirmed by the XRD and SR measurements as well as SEM observations.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 28-37
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
    High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
    Autorzy:
    Brzozowski, A.
    Sarnecki, J.
    Lipiński, D.
    Wodzińska, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192377.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    rezystywność
    oporność rozpływu
    krzem monokrystaliczny
    warstwa epitaksjalna
    resistivity
    spreading resistance
    monocrystalline silicon
    epitaxial layer
    Opis:
    Wykonano wzorce do kalibracji układu umożliwiającego wyznaczenie profilu rezystywności w krzemowych warstwach epitaksjalnych typu n i p o orientacji <111> i <100> z pomiarów rezystancji rozpływu styku punktowego (SR). Wykonane wzorce umożliwiają kalibrację systemu i zapewniają pomiar profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych o rezystywności dochodzącej do 10 kΩcm. Wdrożono procedury zawarte w instrukcjach ASTM dla przeprowadzenia pomiarów metodą sondy czteroostrzowej rezystywności monokrystalicznych płytek krzemowych przeznaczonych na wzorce do kalibracji systemu SR.
    Si standards for the calibration of a spreading resistance probe for measuring the resistivity profiles of n and p type <111> and <100> oriented silicon epitaxial wafers have been performed. These standards allow both the calibration of the SR system and the measurement of resistivity distribution in silicon epitaxial layers having resistivity of up to 10 kΩcm. Procedures for measuring the resistivity of silicon wafers used as standards for the SR systems calibration by the Four-Point Probe method have been implemented in accordance with the ASTM instruction.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 4, 4; 20-26
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Visible Luminescence from Porous Silicon
    Autorzy:
    Bała, W.
    Firszt, F.
    Nossarzewska-Orłowska, E.
    Brzozowski, A.
    Orłowski, B. A.
    Kowalski, B. J.
    Guziewicz, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1929748.pdf
    Data publikacji:
    1993-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.-w
    Opis:
    This paper presents results of investigation of the temperature dependence of visible luminescence in porous silicon layers prepared by anodization in hydrofluoric acid. Luminescence spectra were measured in the temperature range between 40 K and 350 K. Room temperature reflectivity spectra were also measured in vacuum ultraviolet radiation range from 4 eV to 12 eV.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 761-764
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies