Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Lapointe, J." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Neutral and Charged Excitons Localized in the InAs/GaAs Wetting Layer
Autorzy:
Babiński, A.
Czyż, M.
Golnik, A.
Borysiuk, J.
Kret, S.
Raymond, S.
Lapointe, J.
Wasilewski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811914.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.21.La
78.55.Cr
78.67.Hc
Opis:
It has recently been shown that potential fluctuations in a wetting layer, which accompanies InAs/GaAs quantum dots can localize excitons. Neutral excitons and biexcitons and charged excitons were identified. In this communication we report on studies of properties of the excitons over wide temperature range (T < 70 K). The micro-photoluminescence measurements enable investigation of excitons localized in a single potential fluctuation. Temperature-induced broadening of the neutral exciton as well as a quenching of the charged exciton at temperatures higher than 50 K are observed and discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1055-1060
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies