Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Borowiec, M. T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Magnetoelastic and Optical Studies of Low Temperature Magnetic Relaxation in Rare-Earth Orthoaluminates with Ising Ions
Autorzy:
Krynetskii, I.
Popkov, A.
Borowiec, M. T.
Szymczak, H.
Zayarnyuk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2013724.pdf
Data publikacji:
2000-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.40.Gb
75.50.Ee
Opis:
The new class of magnetic materials with low temperature magnetic relaxation was studied. It was evidenced that the crystal DyAlO$\text{}_{3}$ with antiferromagnetically ordered high anisotropy rare-earth ions showed an exponential magnetic relaxation. For the first time low temperature magnetic relaxation was investigated by means of magnetostriction and rare-earth optical absorption spectra instead of standard magnetization measurements. The possible mesoscopic nature of tunneling process was suggested.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2000, 97, 5; 889-892
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low-Temperature Structural Phase Transition in Monoclinic RbDy(WO$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$ Crystal
Autorzy:
Borowiec, M. T.
Dyakonov, V.
Kamenev, V.
Nabiałek, A.
Prokhorov, A.
Szymczak, H.
Załęski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968975.pdf
Data publikacji:
1998-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
76.30.-v
75.20.-g
Opis:
The ESR spectrum of Dy$\text{}^{3+}$ ion in the low-symmetry RbDy(WO$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$ crystal has been studied in the temperature region of T=4.2 ÷ 30K. The ESR linewidth was found to increase from 130 mT up to the maximum value of 190 mT at T=9K and then to decrease down to 150 mT at 4.2K. The components of the g-tensor change considerably without change of their spatial orientation in the temperature range from 12K to 7 K: g$\text{}_{z}$=2.5, g$\text{}_{x}$≈0, g$\text{}_{y}$=1.41 at T>12 K; g$\text{}_{z}$=1.53, g$\text{}_{x}$≈0, g$\text{}_{y}$=1.2 at T<7K. The observed λ-shaped behaviour of absorption linewidth and the decrease in the g-factor are assumed to be due to the low-temperature structural phase transition (T$\text{}_{SPT}$≈9 K). The width of the transition area is of about 5K. It is suggested that the symmetry of high- and low-temperature phases is identical.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 1; 71-77
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoconductivity of Bi$\text{}_{12}$Ti$\text{}_{1-x}$Pb$\text{}_{x}$O$\text{}_{20}$ Single Crystal
Autorzy:
Borowiec, M. T.
Kozankiewicz, B.
Szymczak, H.
Żmija, J.
Majchrowski, A.
Załęski, M.
Zayarnyuk, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2011193.pdf
Data publikacji:
1999-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
78.20.Nv
72.20.Jv
Opis:
Single crystals of mixed sillenites Bi$\text{}_{12}$Ti$\text{}_{1-x}$Pb$\text{}_{x}$O$\text{}_{20}$ were grown using the top seeded solution growth method. The pulse illumination was used to study the phototransport properties of these crystals. It was evidenced that the illumination changed the photoconducting properties by 4-5 orders of magnitude comparing with previously studied Bi$\text{}_{12}$MeO$\text{}_{20}$, where Me = Ge, Si, Ti. The performed experiments indicate on the photogeneration of metallic grains in the insulating matrix of Bi$\text{}_{12}$Ti$\text{}_{1-x}$Pb$\text{}_{x}$O$\text{}_{20}$. Correlations between photochromism and photoconductivity was established.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 6; 785-792
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies