Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "effective energy" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
InAs light-to-heavy hole effective mass ratio determined experimentally from mobility spectrum analysis
Autorzy:
Wróbel, Jarosław
Umana-Membreno, Gilberto A.
Boguski, Jacek
Złotnik, Sebastian
Kowalewski, Andrzej
Moszczyński, Paweł
Antoszewski, Jarek
Faraone, Lorenzo
Wróbel, Jerzy
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204210.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
indium arsenide
effective masses
energy band warping
magnetotransport
mobility spectrum analysis
Opis:
Careful selection of the physical model of the material for a specific doping and selected operating temperatures is a non-trivial task. In numerical simulations that optimize practical devices such as detectors or lasers architecture, this challenge can be very difficult. However, even for such a well-known material as a 5 μm thick layer of indium arsenide on a semiinsulating gallium arsenide substrate, choosing a realistic set of band structure parameters for valence bands is remarkable. Here, the authors test the applicability range of various models of the valence band geometry, using a series of InAs samples with varying levels of p-type doping. Carefully prepared and pretested the van der Pauw geometry samples have been used for magneto-transport data acquisition in the 20-300 K temperature range and magnetic fields up to ±15 T, combined with a mobility spectra analysis. It was shown that in a degenerate statistic regime, temperature trends of mobility for heavy- and light-holes are uncorrelated. It has also been shown that parameters of the valence band effective masses with warping effect inclusion should be used for selected acceptor dopant levels and range of temperatures.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144567
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies