Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "02.20.+b" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Construction of the adiabatic potential of a symmetric molecule in the vicinity of charged semiconductor surface
Autorzy:
Bercha, S.
Glukhov, K.
Kharkhalis, L.
Sznajder, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1157162.pdf
Data publikacji:
2016-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.-b
71.70.Ej
61.50.Ah
02.20.-a
Opis:
We present a description of the symmetry-based method for the construction of the adiabatic potential of a symmetric molecule near the charged semiconductor surface. For this purpose, a transformation of the adiabatic potential of a free high symmetric molecule (D_{3d}) in the presence of uniform electric field is investigated. The obtained adiabatic potential is analyzed with respect to the stability of molecule in the vicinity of charged surface, as a dependence of its orientation in the electric field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 1a; A-120-A-122
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies