Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "81.15.Ef" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Effect of Zinc Incorporation in $CuInS_{2}$ Thin Films Grown by Vacuum Evaporation Method
Autorzy:
Ben Rabeh, M.
Kanzari, M.
Rezig, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1808116.pdf
Data publikacji:
2009-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.ag
78.20.Ci
81.15.Ef
73.61.Le
Opis:
Structural, optical and electrical properties of Zn-doped $CuInS_2$ thin films grown by double source thermal evaporation method were studied. Evaporated thin films were grown from $CuInS_2$ powder by vacuum evaporation using resistively heated tungsten boats. The element Zn was evaporated from a thermal evaporation source. The amount of the Zn source was determined to be 0-4% molecular weight compared with $CuInS_2$ source. The effects of Zn on films properties were investigated using X-ray diffraction, optical transmission and reflection spectra. The films were annealed in vacuum at 260°C for 2 h. The Zn-doped samples have band-gap energy of 1.474-1.589 eV. We found that the Zn-doped $CuInS_2$ thin films exhibit p-type conductivity and we predict that Zn species can be considered as suitable candidates for use as doped acceptors to fabricate $CuInS_2$-based solar cells.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 115, 3; 699-703
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies