Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bauer, P. H." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
High Resolution X-Ray Diffraction Investigations of Si/SiGe Quantum Well Structures and Si/Ge Short-Period Superlattices
Autorzy:
Bauer, G.
Koppensteiner, E.
Hamberger, P.
Nützel, J.
Abstreiter, G.
Kibbel, H.
Presting, H.
Kasper, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929613.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.+g
61.10.-i
68.55.Jk
Opis:
Double crystal and triple axis X-ray diffractometry was used to characterize the structural properties of Si/Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$ multiquantum well samples grown pseudomorphically on Si(001) substrates, as well as of short-period Si$\text{}_{9}$Ge$\text{}_{6}$ superlattices grown by molecular beam epitaxy on rather thick step-graded Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$ (0 < x < 0.4, 650 nm thick) buffers followed by 550 nm Si$\text{}_{0.6}$ Ge$\text{}_{0.4}$ layers. Reciprocal space maps around the (004) and (224) reciprocal lattice points yield direct information on the strain status of the layers in the heterostructure systems and in particular on the amount of strain relaxation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 475-489
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies