Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "high-resolution" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
High Resolution X-ray Reciprocal Space Mapping
Autorzy:
Bauer, G.
Li, J. H.
Holy, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1943985.pdf
Data publikacji:
1996-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
68.55.-a
61.72.Lk
Opis:
A survey will be given on recent advances in the investigation of semiconductor epilayers, heterostructures and superlattices using reciprocal space mapping techniques based on triple-axis diffractometry. It is shown that X-ray reciprocal space mapping yields quantitative information on strain, strain relaxation, as well as composition in such structures. These data are obtained from analyses of the isointensity contours of scattered X-ray intensity around reciprocal lattice points. Further analysis of the diffuse scattering yields also information on defect distribution in the epilayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 2; 115-127
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High Resolution X-Ray Diffraction Investigations of Si/SiGe Quantum Well Structures and Si/Ge Short-Period Superlattices
Autorzy:
Bauer, G.
Koppensteiner, E.
Hamberger, P.
Nützel, J.
Abstreiter, G.
Kibbel, H.
Presting, H.
Kasper, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929613.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.65.+g
61.10.-i
68.55.Jk
Opis:
Double crystal and triple axis X-ray diffractometry was used to characterize the structural properties of Si/Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$ multiquantum well samples grown pseudomorphically on Si(001) substrates, as well as of short-period Si$\text{}_{9}$Ge$\text{}_{6}$ superlattices grown by molecular beam epitaxy on rather thick step-graded Si$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$ (0 < x < 0.4, 650 nm thick) buffers followed by 550 nm Si$\text{}_{0.6}$ Ge$\text{}_{0.4}$ layers. Reciprocal space maps around the (004) and (224) reciprocal lattice points yield direct information on the strain status of the layers in the heterostructure systems and in particular on the amount of strain relaxation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 475-489
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies