Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "75.76.+j" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Effects of Spin Pumping on Spin Waves in Antiferromagnetically Exchange-Coupled Double Layers with Surface Anisotropy
Autorzy:
Baláž, P.
Barnaś, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402556.pdf
Data publikacji:
2015-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.40.Gb
75.76.+j
75.78.-n
Opis:
Spin wave modes in antiferromagnetically exchange-coupled magnetic double layers are analyzed theoretically. The considered structure is assumed to be covered by a nonmagnetic metallic layer. The spin wave frequencies and spin wave life times are determined from the macroscopic description based on the Landau-Lifshitz-Gilbert equation, which includes the torque due to spin pumping to the cap layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 2; 150-152
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charge and Spin Transport in a Metal-Semiconductor Heterostructure with Double Schottky Barriers
Autorzy:
Wolski, S.
Jasiukiewicz, C.
Dugaev, V.
Barnaś, J.
Slobodskyy, T.
Hansen, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1386690.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.30.+y
73.40.-c
75.76.+j
Opis:
Taking into account the available experimental results, we model the electronic properties and current-voltage characteristics of a ferromagnet-semiconductor junction. The Fe/GaAs interface is considered as a Fe/(i-GaAs)/n⁺-GaAs/n-GaAs multilayer structure with the Schottky barrier. We also calculate numerically the current-voltage characteristics of a double-Schottky-barrier structure Fe/GaAs/Fe, which are in agreement with available experimental data. For this structure, we have estimated the spin current in the GaAs layer, which characterizes spin injection from the ferromagnet to the semiconductor.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 472-474
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies