Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sallese, J. M." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Downscaling and short channel effects in twin gate junctionless vertical slit FETs
Autorzy:
Barbut, L
Jazaeri, F
Bouvet, D
Sallese, J.-M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397813.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
junctionless
VeSFET
DIBL
SCE
design space
przestrzeń projektowa
Opis:
In this work, we present the performance constraints in the design of ultra-thin body Junctionless Vertical Slit Field Effect Transistor (JL VeSFET). A design space that take into account the intrinsic off-current, the sub-threshold swing and the drain induced barrier lowering is investigated with respect to key technological parameters, namely, the doping level in the channel, the minimum slit width, and the effective radius of the slit. This work could serve as a guideline for technology optimization, design and scaling of JL VeSFETs.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2013, 4, 3; 103-109
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies