Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Baranowski, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-3 z 3
    Tytuł:
    Bezszczotkowa wysokomomentowa zakrętarka elektromechaniczna
    Brushless electric torque tool
    Autorzy:
    Gawron, S.
    Baranowski, J.
    Piątek, P.
    Ossa, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1367885.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
    Tematy:
    zakrętarka elektryczna
    napęd elektryczny
    silnik bezszczotkowy
    electric torque tool
    electric drive
    brushless motor
    Opis:
    Paper includes a presentation of research and development activities regarding an electric torque tool driven by brushless motor. Work is realised by two research institutions (KOMEL and AGH-UST) and an industrial partner (ZBM OSSA). The consortium plans to develop a new type of electric torque tool, which will be used for tightening nuts in joints with torque set from 2000 to 15000 Nm. New tool will be able to operate in highly dust-laden environments and also those with heightened safety requirements, where conventional torque tools driven by commonly universal motors can not be used.
    W publikacji zawarto opis prac badawczo rozwojowych, jakich podjęły się dwa ośrodki badawcze (KOMEL i AGH) oraz przedsiębiorca (ZBM OSSA), w celu skonstruowania wysokomomentowej zakrętarki elektromechanicznej napędzanej silnikiem bezszczotkowym. Partnerzy konsorcjum planują opracować nowy typ zakrętarki, która ma służyć do dokręcania śrub w połączeniach z zadanym momentem od 2 000 do 15 000 Nm. Nowa zakrętarka będzie mogła pracować w środowiskach wysoko zapylonych i o zwiększonych wymaganiach bezpieczeństwa, gdzie nie można zastosować zakrętarek napędzanych silnikami komutatorowymi, które są obecnie standardem.
    Źródło:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2015, 2, 106; 113-116
    0239-3646
    2084-5618
    Pojawia się w:
    Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Transport Properties of Disordered Graphene Layers
    Autorzy:
    Gryglas-Borysiewicz, M.
    Jouault, B.
    Tworzydło, J.
    Lewińska, S.
    Strupiński, W.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791293.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.21.Ac
    72.20.Fr
    73.43.Qt
    73.63.Bd
    Opis:
    Samples consisting of a few layers of graphene obtained by thermal decomposition of SiC were studied by means of transport experiments at 4 K and in a magnetic field up to 7 T. Transport data show that the samples have a two-dimensional character. Magnetoresistance has an approximately linear character at high magnetic fields, which has been previously observed in graphite samples, and a negative magnetoresistance, at low magnetic fields. The transverse resistivity $ρ_{xy}$ is nonlinear as a function of B, which can be described using a many-carrier model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 838-840
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    High Resistivity GaN Single Crystalline Substrates
    Autorzy:
    Porowski, S.
    Boćkowski, M.
    Łucznik, B.
    Grzegory, I.
    Wróblewski, M.
    Teisseyre, H.
    Leszczyński, M.
    Litwin-Staszewska, E.
    Suski, T.
    Trautman, P.
    Pakuła, K.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1968415.pdf
    Data publikacji:
    1997-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Eq
    72.80.Ey
    Opis:
    High resistivity 10$\text{}^{4}$-10$\text{}^{6}$ Ω cm (300 K) GaN single crystals were obtained by solution growth under high N$\text{}_{2}$ pressure from melted Ga with 0.1-0.5at.% of Mg. Properties of these crystals are compared with properties of conductive crystals grown by a similar method from pure Ga melt. In particular, it is shown that Mg-doped GaN crystals have better structural quality in terms of FWHM of X-ray rocking curve and low angle boundaries. Temperature dependence of electrical resistivity suggests hopping mechanism of conductivity. It is also shown that strain free GaN homoepitaxial layers can be grown on the Mg-doped GaN substrates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 958-962
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-3 z 3

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies