Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tamošiūnas, V." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Study of Terahertz Emission from Surfaces of Cu(InGa)Se_2 Layers
Autorzy:
Koroliov, A.
Arlauskas, A.
Balakauskas, S.
Šoliūnas, M.
Maneikis, A.
Krotkus, A.
Šetkus, A.
Tamošiūnas, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399106.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.66.Li
88.40.jn
77.55.hf
Opis:
In this contribution, we report on investigations of THz emission from $Cu(In,Ga)Se_2$ layers, deposited from a single copper-deficient sputtering target. Emission from $Cu(In,Ga)Se_2$ layer surface and from multilayer structure with transparent ZnO layers were studied. It was determined that additional undoped ZnO layer reduces the amplitude of THz emission, while additional n-type ZnO layers increase the emission amplitude again. This effect can be attributed to stronger electric field in the heterostructure between p-type $Cu(In,Ga)Se_2$ and n-type ZnO layers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 846-848
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Broad Band THz Sensing by 2DEG Bow-Tie-Type Diodes
Autorzy:
Valušis, G.
Seliuta, D.
Tamošiūnas, V.
Širmulis, E.
Balakauskas, S.
Gradauskas, J.
Sužiedėlis, A.
Ašmontas, S.
Anbinderis, T.
Narkūnas, A.
Papsujeva, I.
Lisauskas, A.
Roskos, H. G.
Köhler, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041684.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.-h
85.30.De
72.30.+q
Opis:
We suggest a novel approach to detect broad band, 0.078-2.52 THz, electromagnetic radiation at room temperature using an asymmetrically-shaped bow-tie diode based on a modulation-doped GaAs/AlGaAs structure. We show that the voltage sensitivity in the range from 0.078 THz up to 0.8 THz has a plateau and its value is within 0.3-0.5 V/W. We consider the bow-tie diode design to increase the sensitivity of the device.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 184-187
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies