Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Babiński, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Acceptor-Like Level of the EL2 Defect in its Metastable Configuration
Autorzy:
Dreszer, P.
Baj, M.
Babiński, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879457.pdf
Data publikacji:
1991-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
This paper presents for the first time the evident experimental confirmation that EL2 defect, while being in its metastable configuration, traps under hydrostatic pressure an additional electron, i.e. the acceptor-like (EL2*)$\text{}^{0}$ $\text{}^{/}$ $\text{}^{-}$ level enters the energy gap under pressure. We propose that in n-GaAs the EL2 thermal recovery takes always place via the (EL2*)$\text{}^{-}$ state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 1; 129-132
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hydrostatic-Pressure Deep Level Transient Spectroscopy Study of the Heteroantisite Antimony Level in GaAs
Autorzy:
Babiński, A.
Przybytek, J.
Baj, M.
Omling, P.
Samuelson, L.
Słupiński, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923855.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
62.50.-p
Opis:
We present some preliminary results of the first hydrostatic-pressure study of the electronic level related to the Sb-heteroantisite defect in GaAs. We studied two kinds of n-type GaAs samples doped with antimony: bulk samples grown by liquid encapsulated Czochralski method and thin layers grown by metalorganic chemical vapour deposition technique. We found strongly nonlinear pressure dependence of the activation energy of the emission rate for the level. Moreover, the results obtained for the bulk material were fairly different from those obtained for thin metalorganic chemical vapour deposition layers. The possible explanation of this difference is presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 841-844
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  • odwiedzone
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies