Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Ebrahimi, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
1.25GS/S 12bit and 2.27mW digital to analog converter (DAC) with 70.22 SNDR based on new hybrid R-C procedure in 180nm CMOS
Autorzy:
Mahdavi, S.
Poreh, M.
Alizadeh, L.
Moradkhani, B.
Ebrahimi, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398146.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
SAR ADC
DAC
high-resolution
power consumption
high-speed
wysoka rozdzielczość
pobór mocy
Opis:
This paper presents a novel fully differential high-speed and high-resolution Digital to Analog Converter (DAC) based on new reliable hybrid R-C technique. In the proposed idea the four LSB bits and eight MSB bits are implemented as a resistor string and new merged capacitor technique respectively. Applying the suggested method the SNDR and Effective Number of Bits (ENOB) of the proposed DAC achieve 70.22dB and 11.41 bit at the 1.25GS/s sampling rate correspondingly. In the proposed method the total capacitors of the 8 MSB bits are reduced up to 78% compared to the conventional one noticeably. As a result, the power consumption and speed of the suggested DAC are decreased and increased respectively. Moreover, the total power consumption of the proposed DAC is 2.27mW with the power supply of 1.8 volts as well. Meanwhile, for the correctness of the proposed 12bit DAC, 200 iterations in transient Monte-Carlo analysis (parasitic capacitance included ([symbol] mismatch = 1.2%)), and the SNDR simulation results versus different input frequency at fS=1.25GS/s sampling rate are applied too. The maximum Integral Nonlinearity (INL) and the maximum Differential Nonlinearity (DNL) are -0.47/+0.35LSB and -0.42/+0.29 LSB respectively. The proposed DAC structure is simulated in all process corners and performed using the HSPICE BSIM3 model of a 0.18μm CMOS technology.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 4; 127-132
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies